Zamienniki dla HS2198

HS2198 (HXY MOSFET)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (413)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`HS2198` HXY MOSFET ↓ Twoj uklad	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	7.2A	45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`DMC4050SSD-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	7.2A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`FDS4897C-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	7.2A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`10N06` HL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	10A	40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	—	PDF →
`HUF76131SK8T` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	10A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	1V	150°C	PDF →
`DMN3024LSD-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`FDS6912A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`FDS6990AS-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`FDS8984-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`IRF7313TRPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`IRF9956TRPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`NTMD4840NR2G-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`SM4818PRL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`SM4842PRL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`ASDM4606S-R` ASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8A	24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.2nC	1.6V	150°C	PDF →
`SM4616PRL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.75nC	1.21V	168°C	PDF →
`YFW6G03S` YFW Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.7V	150°C	PDF →
`SM4496PRL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	28.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.6nC	1.31V	156°C	PDF →
`CJQ4410` Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7.5A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.5nC	3V	150°C	PDF →
`DMG4496SSS-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	21.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.7nC	1.2V	150°C	PDF →
`FDS6612A` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.4A	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.4nC	1.9V	150°C	PDF →
`SQ4532AEY-T1_BE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7.3A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.97nC	1.522V	175°C	PDF →
`SQ4532AEY-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7.3A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.97nC	1.522V	175°C	PDF →
`DMG4466SSS-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5nC	1.45V	150°C	PDF →
`FDS4410` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5nC	4.5V	150°C	PDF →
`FDS6690S` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5nC	6V	150°C	PDF →
`DMN3018SSS-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7.3A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.7V	150°C	PDF →
`NDS8410A` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10.8A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.8nC	4.9V	150°C	PDF →
`APM4500AKC-TRG` Anpec Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	16A	105mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.3nC	0.75V	150°C	PDF →
`SM4410PRL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11A	24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.1nC	1V	150°C	PDF →
`BSO110N03MS G-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`DMG4466SSS-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`DMG4496SSS-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`DMN3018SSD-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`DMN3018SSS-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`FDS6612A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`FDS6630A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`FDS8884-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`IRF7201-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`IRF7201PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`IRF7403PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`IRF7413TRPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`IRF7805ZTRPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`IRF7807PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`IRF7807ZPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`IRF7807ZTRPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`IRF9410PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`NTMD4820NR2G-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`SI4128DY-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`SI4134DY-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`SI4178DY-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`SI4178DY-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`SI4346DY-T1-E3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`SI4800BDY-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`SM4496PRL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`HSM4410` HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.5V	150°C	PDF →
`WSP4406` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.9V	150°C	PDF →
`HSM20N02` HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	20A	2.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.75V	150°C	PDF →
`CJQ4406` Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	1116mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.5nC	5V	150°C	PDF →
`FDS6294` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.5nC	5V	175°C	PDF →
`HSM3006` HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`AO9926B-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	8A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.5nC	0.45V	—	PDF →
`AO9926C-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	8A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.5nC	0.45V	—	PDF →
`DMN2029USD-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	8A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.5nC	0.45V	—	PDF →
`FDS6892A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	8A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.5nC	0.45V	—	PDF →
`SI9926CDY-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	8A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.5nC	0.45V	—	PDF →
`HY1106S` HUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	11A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.4nC	1.03V	175°C	PDF →
`VBZA4618` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	24V	9A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	4.1V	150°C	PDF →
`CEM3120` CET(Chino-Excel Tech) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	10A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1V	—	PDF →
`IRF9910TRPBF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	10A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`DMC3021LSD-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (7.8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.8nC	1.45V	150°C	PDF →
`DMC3021LSDQ-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (7.8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.8nC	1.45V	150°C	PDF →
`DMN4800LSSL-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8.7nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.7nC	1.2V	150°C	PDF →
`IRF7105TRPBF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`DMC2020USD-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	8.5A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	1.1V	150°C	PDF →
`DMN4800LSS-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8.7nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.3A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.7nC	1.2V	150°C	PDF →
`FDS4488` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (9.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7.9A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.5nC	1.8V	175°C	PDF →
`DMN4800LSSQ-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8.7nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.6A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.7nC	1.2V	150°C	PDF →
`NTMFS4H02NFT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	37A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.3nC	1.22V	150°C	PDF →
`YJS10N02A` Yangzhou Yangjie Elec Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11.05nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	10A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11.05nC	0.62V	150°C	PDF →
`IRF7807VTRPBF` Infineon (ex-International Rectifier) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (9.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.3A	1725mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.5nC	1V	150°C	PDF →
`FDS8884` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (9.213nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.213nC	1.21V	150°C	PDF →
`NTMFS4H013NFT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	43A	0.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1.4nC	1.22V	150°C	PDF →
`DMC3032LSD-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.1A	23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.45V	150°C	PDF →
`FDS6680S` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11.5A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.2nC	3.3V	150°C	PDF →
`SP3011CP8` Siliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	5V	—	PDF →
`SP3012CP8` Siliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	5V	—	PDF →
`FDS6570A` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (7nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	15A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7nC	0.4V	150°C	PDF →
`NTMFS4H01NFT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	54A	0.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	1.22V	—	PDF →
`NTMFS4H01NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	54A	0.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	0.97nC	1.22V	150°C	PDF →
`NTMS4816NR2G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (9.2nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.2nC	1.53V	150°C	PDF →
`SI7390DP-T1-E3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	9A	9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	0.8V	150°C	PDF →
`SI7390DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	9A	9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	0.8V	150°C	PDF →
`FDS4885C` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (21nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	7.5A	35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	21nC	5V	150°C	PDF →
`ZXMN2A02N8TA` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18.9nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	8.3A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18.9nC	0.7V	150°C	PDF →
`VBA5415` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13.3nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	24V	9A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13.3nC	0.9V	150°C	PDF →
`DMS3016SSSA-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.4V	150°C	PDF →
`FDS6294-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.4V	150°C	PDF →
`FDS6670A` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	5.3V	150°C	PDF →
`FDS6690AS-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.4V	150°C	PDF →
`IRF7805PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.4V	150°C	PDF →
`IRF8707GPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.4V	150°C	PDF →
`IRF8707PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.4V	150°C	PDF →
`IRF8707TRPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.4V	150°C	PDF →
`STN4402-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.4V	150°C	PDF →
`RJK0366DSP-00#J0` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (6.8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.8nC	—	—	PDF →
`DMC3016LSD-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11.3nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.2A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11.3nC	1V	150°C	PDF →
`VBZA4606` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	4.1V	150°C	PDF →
`VBZA4800` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (14nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	10A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14nC	6V	150°C	PDF →
`SM4404BPRL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	168°C	PDF →
`ZXMC3F31DN8TA` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12.9nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7.3A	24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.9nC	1V	150°C	PDF →
`FDS6680` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (7nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11.5A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7nC	5V	150°C	PDF →
`IRF7807TRPBF` Infineon (ex-International Rectifier) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	1.01V	150°C	PDF →
`NTMFS4C09NCT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10.9nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8	30V	9A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.9nC	2.1V	150°C	PDF →
`NTMFS4C09NT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10.9nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.9nC	2.1V	150°C	PDF →
`HYG170C03LR1S` HUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13.7nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8A	12.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13.7nC	1.8V	150°C	PDF →
`NTMFS4H01NFT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	334A	0.56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	1.22V	—	PDF →
`SM4306PRL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	17.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.6nC	1.31V	150°C	PDF →
`VBZA4410` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	11A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	6V	150°C	PDF →
`NTMFS4941NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11.3nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9A	4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11.3nC	1.21V	150°C	PDF →
`FDS6682` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	14A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.4nC	5.6V	150°C	PDF →
`SI4822DY` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (7nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12.5A	9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7nC	4.5V	150°C	PDF →
`BSO200N03S-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (6.8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.8nC	6.2V	150°C	PDF →
`MTB11N03Q8-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (6.8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.8nC	6V	150°C	PDF →
`P0603BVG-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (6.8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.8nC	3V	150°C	PDF →
`CEM3060` CET(Chino-Excel Tech) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	14A	7.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1V	—	PDF →
`SI7852DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (41nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	7.6A	16.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	41nC	2V	150°C	PDF →
`IRF7807VPBF` Infineon (ex-International Rectifier) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (14nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.3A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14nC	1V	150°C	PDF →
`SI7850DP-T1-E3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	10.3A	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18nC	1V	150°C	PDF →
`SI4894BDY-T1-E3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13.22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.9A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13.22nC	1.03V	150°C	PDF →
`SI4800BDY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9A	15.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	0.81V	150°C	PDF →
`GL6009AS-8` GL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	9A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1.7V	175°C	PDF →
`CEM4052` CET(Chino-Excel Tech) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	16A	100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1V	—	PDF →
`VBZA9410` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	12A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	6V	150°C	PDF →
`DMN3016LSS-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11.3nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10.3A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11.3nC	1.3V	150°C	PDF →
`TP89R103NL,LQ` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (9.8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	15A	12.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.8nC	2.3V	—	PDF →
`ME4502-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	0.91V	150°C	PDF →
`NTMFS4C06NAT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	150°C	Szukaj PDF →
`UPA2792GR-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	0.91V	150°C	PDF →
`IRF7401TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (48nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	8.7A	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48nC	0.7V	150°C	PDF →
`BRCS080N04SC` Foshan Blue Rocket Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	15A	6.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.6V	150°C	PDF →
`FDS6692A` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9A	8.211mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.2V	150°C	PDF →
`SH8MA4TB1` ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9A	16.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1V	150°C	PDF →
`SP8M4HZGTB` ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	2.5V	—	Szukaj PDF →
`ME4174` MATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12.7A	8.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	1V	150°C	PDF →
`NDS9410A` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7.3A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	3V	150°C	PDF →
`AP3010` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	1.6V	150°C	PDF →
`FDS6690` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	4.5V	150°C	PDF →
`NCE3010S` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	1.6V	150°C	PDF →
`NTMS4939NR2G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12.4nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10.3A	8.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.4nC	1.02V	150°C	PDF →
`FDS6572A` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	16A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.6V	175°C	PDF →
`LN4404T1G` LRC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	16A	1200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1V	150°C	PDF →
`ZXMN3B04N8TA` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (23.1nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7.2A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23.1nC	0.7V	150°C	PDF →
`SI4378DY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	19A	2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	0.61V	150°C	PDF →
`RU3020H` Shenzhen ruichips Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.02V	150°C	PDF →
`NCE3009S` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (17.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9A	11.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17.5nC	1.5V	150°C	PDF →
`VBZA4412` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	13A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`DMN2009USS-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	20A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	0.51V	150°C	PDF →
`FDS6570A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	20A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	0.51V	150°C	PDF →
`HXY4402S` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	20A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	0.51V	150°C	PDF →
`IRF7476PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	20A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	0.51V	150°C	PDF →
`KIA4603AE` KIA Semicon Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.84V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	20A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	3.84V	—	PDF →
`IRF7201PBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (28nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7.3A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	28nC	1V	150°C	PDF →
`IRF7201TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (28nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7.3A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	28nC	1V	150°C	PDF →
`NTMD4840NR2G-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	5.2V	150°C	PDF →
`SQ4920EY-T1-GE3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	5.2V	150°C	PDF →
`VBA3316` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	5.2V	150°C	PDF →
`CJQ4824` Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.7V	150°C	PDF →
`FDS8878` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10.2A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.2V	150°C	PDF →
`SI4128DY-T1-E3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10.9nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10.9A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.9nC	4.5V	150°C	PDF →
`SI4128DY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10.9nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10.9A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.9nC	4.5V	150°C	PDF →
`VBZA8858` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	4.1V	150°C	PDF →
`FDS4410A` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16nC	3V	150°C	PDF →
`FDS6690AS` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16nC	1.6V	150°C	PDF →
`AP4616` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (17nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9.8A	23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17nC	1V	150°C	PDF →
`VBA3310` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	6V	150°C	PDF →
`UPA2709AGR-E1-AT` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	13A	8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	2.5V	—	PDF →
`NDS8426A` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	10.5A	13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	1V	150°C	PDF →
`4406` HL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.5V	—	PDF →
`RSS100N03HZGTB` ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	13.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	2.5V	150°C	PDF →
`IRF7403TRPBF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`IRF7807TRPBF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`IRF7457` Infineon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (24nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	15A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	24nC	1.5V	150°C	PDF →
`VBA5311` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13.3nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13.3nC	0.9V	150°C	PDF →
`SI4776DY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11.9nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11.9A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11.9nC	2.3V	150°C	PDF →
`NTMFS4939NT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (28.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9.3A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	28.5nC	2.2V	150°C	PDF →
`SI4178DY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	6V	150°C	PDF →
`IRF7403TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (57nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	57nC	1V	150°C	PDF →
`VBA1101N` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	16A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16nC	6.4V	150°C	PDF →
`FDS6670AS-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`IRF7811AVTRPBF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`RSS100N03TB-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`SI4884DY-T1-E3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`SI9426DY-T1-E3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`DMN2009LSS-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (28.9nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	12A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	28.9nC	1.2V	150°C	PDF →
`SI4894BDY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13.22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13.22nC	1.03V	150°C	PDF →
`45N18` Shenzhen Fuman Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13.2nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	20A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13.2nC	1.01V	175°C	PDF →
`NTMFS4899NFT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10.4A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	2.5V	150°C	PDF →
`NTMFS4C05NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (14nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11.9A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14nC	2.2V	150°C	PDF →
`NTMFS4C05NT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (14nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11.9A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14nC	2.2V	150°C	PDF →
`CEM6086L` CET(Chino-Excel Tech) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (33nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	12A	9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33nC	1V	150°C	PDF →
`FDS8880` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11.6A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.2V	150°C	PDF →
`AFN4172WSS8RG-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`AM4424N-T1-PF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`AP4410M-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`APM4820KC-TRL-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`APM4826KC-TRG-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`APM4828KC-TRL-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`BSO072N03S-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`CEM3252-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`DMN4468LSS-13-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`FDS6612A-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`FDS6630A-NL-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`FDS6694-NL-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`HM4410-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`IRF7413TRPBF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`IRF7455TRPBF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`IRF7463TRPBF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`IRF8721TR-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`MDS1525URH-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`MDS1653URH-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`ME4410-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`ME4410AD-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`MT6680-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`NCE3010S-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`NDS8425-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`PHK12NQ03LT-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`PV600BA-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`SI4688DY-T1-GE3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`SI4800BDY-T1-E3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`SI4890BDY-T1-E3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`SPN4346S8RGB-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`STS10N3LH5-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`STS11NF3LL-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`VBA1210` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`VBA1311` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	6V	150°C	PDF →
`NTMFS4837NHT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15.923nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11.5A	3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15.923nC	1.52V	150°C	PDF →
`SI4386DY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18nC	1.52V	150°C	PDF →
`SI7370DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (57nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9.6A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	57nC	2V	150°C	PDF →
`SI4410DYTRPBF` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (45nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	45nC	1V	150°C	PDF →
`AP3020` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16.8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11.8A	14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16.8nC	3V	150°C	PDF →
`TPH3R70APL,L1Q(M` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	90A	6.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	6V	—	PDF →
`TPH3R506PL,LQ(S` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	94A	6.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	6V	—	PDF →
`IRF7821TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (14nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13.6A	9.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14nC	1V	155°C	PDF →
`FDS6680A` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12.5A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16nC	2V	150°C	PDF →
`SI4155DY-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (50nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10.2A	12.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	4.8V	150°C	PDF →
`IRF7457TRPBF` Infineon (ex-International Rectifier) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (28nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	15A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	28nC	1V	150°C	PDF →
`FDS6692` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18nC	1.6V	175°C	PDF →
`SI7386DP-T1-E3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18nC	1.52V	150°C	PDF →
`SI7386DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18nC	1.52V	150°C	PDF →
`SI4114DY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	15.2A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27.5nC	5.3V	150°C	PDF →
`SI4666DY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	16.5A	8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16.5nC	3.7V	150°C	PDF →
`ASDM4406S-R` ASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (17nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17nC	1.01V	150°C	PDF →
`G10N03S` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (17nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17nC	1.01V	150°C	PDF →
`IRF7459TRPBF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	20A	4.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	5.3V	150°C	PDF →
`FDS7096N3` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	14A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16nC	1.9V	150°C	PDF →
`FDS7098N3` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	14A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16nC	1.9V	150°C	PDF →
`TSJ10N10AT` WUXI UNIGROUP MICRO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (50nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	14A	19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	1.1V	150°C	PDF →
`DMS3016SSSA-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18.5nC	1V	150°C	PDF →
`IRF7457PBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (42nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	15A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	42nC	1V	150°C	PDF →
`HY1103S` HUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (29nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11A	9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	29nC	1.4V	150°C	PDF →
`FDMS6679` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (28nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	14A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	28nC	1.7V	175°C	PDF →
`YJS12N03A` Yangzhou Yangjie Elec Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (23.6nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23.6nC	1.5V	150°C	PDF →
`STN4402` STANSON Tech. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (24nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	24nC	1.03V	150°C	PDF →
`NTMS4807NR2G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (24nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12.2A	6.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	24nC	1.53V	150°C	PDF →
`FDS8690` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18.827nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	14A	6.37mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18.827nC	4.5V	150°C	PDF →
`AUIRF7805Q` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	1V	150°C	PDF →
`IRF7805PBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	1V	150°C	PDF →
`IRF7805TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	1V	150°C	PDF →
`TSJ10N06AT` WUXI UNIGROUP MICRO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	20A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1.1V	150°C	PDF →
`IRF7456PBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (62nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	16A	6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	62nC	0.6V	150°C	PDF →
`IRF7456TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (62nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	16A	6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	62nC	0.6V	150°C	PDF →
`FDS6670S` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (24nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13.5A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	24nC	2.2V	150°C	PDF →
`VBA1310S` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (36nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	0.52V	150°C	PDF →
`FDS7764S` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13.5A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	1.4V	150°C	PDF →
`PTS2017` PUOLOP Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (58nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	17A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	58nC	0.7V	175°C	PDF →
`FDS6672A` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (33nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12.5A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33nC	1.2V	150°C	PDF →
`SI4116DY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	18A	8.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	4V	150°C	PDF →
`FDS6670AS` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13.5A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	1.7V	150°C	PDF →
`SI4864DY-T1-E3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (70nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	17A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	70nC	0.62V	150°C	PDF →
`SI4864DY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (70nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	17A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	70nC	0.62V	150°C	PDF →
`RSS130N03HZGTB` ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (35nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	2.5V	—	Szukaj PDF →
`BRCS4354SC` Foshan Blue Rocket Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (36nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	23A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	1.8V	150°C	PDF →
`FDS6162N3` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (52nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	21A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	52nC	0.9V	150°C	PDF →
`SIR424DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	30A	4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	5.5V	150°C	PDF →
`SIR802DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	30A	4.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	4V	150°C	PDF →
`FDS6162N7` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (52nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	23A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	52nC	0.9V	150°C	PDF →
`SI4114DY-T1-E3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (95nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	20A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	95nC	5.3V	150°C	PDF →
`SI4116DY-T1-E3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (56nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	18A	8.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	56nC	4V	150°C	PDF →
`IRF7809AVTRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (62nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13.3A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	62nC	1V	150°C	PDF →
`FDS6064N3` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (70nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	23A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	70nC	0.6V	150°C	PDF →
`FDS6064N7` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (70nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	23A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	70nC	0.6V	150°C	PDF →
`IRF7413TRPBF` Infineon (ex-International Rectifier) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (79nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	79nC	3V	150°C	PDF →
`IRF7458PBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (59nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	14A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	59nC	2V	150°C	PDF →
`IRF7458TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (59nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	14A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	59nC	4V	150°C	PDF →
`SIR890DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (50nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	30A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	5.3V	150°C	PDF →
`SIR410DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (41nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	35A	4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	41nC	5.3V	150°C	PDF →
`TPH1R104PB,L1XHQ` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	120A	1.96mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	3V	—	PDF →
`SIR850DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	30A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	5.5V	150°C	PDF →
`SI7868ADP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (40nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	40A	2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	40nC	4V	150°C	PDF →
`ESP10N10` ElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 7A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	7A	90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.2nC	1.85V	—	PDF →
`IRF9389PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 7A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	7A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1.4nC	1.5V	150°C	PDF →
`SI4532CDY-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 7A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	7A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1.4nC	1.5V	150°C	PDF →
`STC4606-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 7A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	7A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1.4nC	1.5V	150°C	PDF →
`HXY4614S` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 6.5A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6.5A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`RF1K49157` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 6.3A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6.3A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.81nC	1V	150°C	PDF →
`RF1K4915796` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 6.3A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6.3A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.81nC	1V	150°C	PDF →
`CJQ4606` Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 6.9A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6.9A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5nC	1.7V	150°C	PDF →
`HSG8205` HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6A	23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.9V	150°C	PDF →
`WSP4606C` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 5.8A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	5.8A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	0.7nC	0.4V	150°C	PDF →
`RSH065N06TB1` ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 6.5A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.5A	100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1V	—	PDF →
`DMC3025LSD-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 6.5A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.5A	80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.6nC	1V	150°C	PDF →
`DMC3025LSDQ-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 6.5A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.5A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.6nC	1V	150°C	PDF →
`HSM4606` HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`SM4620PRL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	38.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.55nC	1.21V	157°C	PDF →
`STS6NF20V` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6A	3040mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.58nC	0.6V	150°C	PDF →
`NDS8858H` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 2.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 6.3A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.3A	33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.8nC	2.8V	150°C	PDF →
`DMC3028LSD-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 6.6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.6A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.2nC	1V	150°C	PDF →
`CJQ4503` Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 6.9A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Qg wyzsze (7nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6.9A	2555mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7nC	1.7V	150°C	PDF →
`SI9426DY` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Qg wyzsze (7nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	—	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7nC	1.5V	150°C	PDF →
`VBA5325` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 6.8A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.8A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.8nC	4.1V	150°C	PDF →
`HSM3002` HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 7A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7A	14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.5V	150°C	PDF →
`TPN2R304PL,L1Q(M` TPN2R304PL,L1Q(M Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	—	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`AP4606B` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 7A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (6.8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7A	70mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.8nC	1.5V	150°C	PDF →
`VBA1328` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 6.8A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (6.8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.8A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.8nC	6.2V	150°C	PDF →
`IRF9389TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6.8A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (6.88nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.8A	27mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.88nC	1.31V	150°C	PDF →
`JSM4606` JSMSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6.9A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (7.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.9A	19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.5nC	1.6V	150°C	PDF →
`FDS6900AS-NL-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 6.8A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.8A	5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	5V	150°C	PDF →
`VBZA9926A` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 5.8A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (9.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	5.8A	80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.5nC	0.61V	150°C	PDF →
`NTMD4820NR2G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6.4A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (7.7nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.4A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.7nC	1.53V	150°C	PDF →
`AP4606` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6.9A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13.84nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6.9A	22.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13.84nC	1.9V	150°C	PDF →
`SP3022CP8` Siliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	5V	—	PDF →
`SM4606PRL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 7A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (9.2nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7A	33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.2nC	1.6V	150°C	PDF →
`CJQ4800` Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 6.9A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.9A	19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1V	150°C	PDF →
`UPA2720GR-E1-A` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 7A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	7A	5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	2.5V	—	PDF →
`DMG9926USD-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	1.2V	—	PDF →
`FDS9926A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	1.2V	—	PDF →
`IRF7311PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	1.2V	—	PDF →
`PHKD6N02LT-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	1.2V	—	PDF →
`SM9926PRL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	1.2V	—	PDF →
`ZXMN2A04DN8-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	1.2V	—	PDF →
`NCE30ND07AS` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 7A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (9.4nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7A	26.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.4nC	0.9V	150°C	PDF →
`BRCS4800SC` Foshan Blue Rocket Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6.9A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (9.6nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.9A	24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.6nC	1.1V	150°C	PDF →
`BRCS4606SC` Foshan Blue Rocket Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6.9A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.9A	24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.65V	150°C	PDF →
`NTMD4N03R2G-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 6.8A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.8A	5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5V	150°C	PDF →
`IRF7331TRPBF` Infineon (ex-International Rectifier) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 7A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	7A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	0.6V	150°C	PDF →
`FDS6930B-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`HXY4606S` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	150°C	PDF →
`IRF7105TRPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	150°C	PDF →
`IRF7303PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`IRF7313PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`IRF9956PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`SI4936ADY-T1-E3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`SI4936CDY-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`SM4800PRL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`SP4606BCP8` Siliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2V	—	PDF →
`STS2DNF30L-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`ZXMN3A06DN8-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`SI4346DY-T1-E3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 5.9A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	5.9A	19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	0.72V	150°C	PDF →
`IRF7402TRPBF` Infineon (ex-International Rectifier) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6.8A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6.8A	35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	0.7V	150°C	PDF →
`FDS8958` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	3V	150°C	PDF →
`HUF75531SK8T` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16nC	1V	150°C	PDF →
`NCE30NP07S` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 7A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12.6nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7A	26mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.6nC	1.6V	150°C	PDF →
`NCE4606` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 7A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	1.6V	150°C	PDF →
`NCE4606A` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 7A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (14.2nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7A	26mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.2nC	1.6V	150°C	PDF →
`FDS8958B` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 6.4A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.4A	39mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	3V	150°C	PDF →
`SH8MA3TB1` ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 7A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7A	23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1V	150°C	PDF →
`AGM1810S` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	3V	150°C	PDF →
`ME4548-G` MATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 7.1A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (19nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7.1A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	19nC	2.5V	150°C	PDF →
`6706A` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6.5A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.5A	6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.01V	150°C	PDF →
`SI4542DY` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	3V	175°C	PDF →
`ZXMC3A16DN8QTA` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6.4A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (17.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.4A	35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17.5nC	1V	150°C	PDF →
`PT4606-SOP8` PUOLOP Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6.5A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18.6nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.5A	2328mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18.6nC	1.5V	150°C	PDF →
`FDS8962C` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	3V	150°C	PDF →
`FW342-TL-E` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16nC	—	—	Szukaj PDF →
`FDFS6N303` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 6A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (17nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17nC	3V	150°C	PDF →
`AUIRF7379QTR` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 5.8A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	5.8A	45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	3V	150°C	PDF →
`FDS6630A` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 6.5A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (57nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.5A	60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	57nC	4V	150°C	PDF →
`RF1K49156` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6.3A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (65nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.3A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	65nC	2V	150°C	PDF →
`RF1K4915696` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6.3A < 7.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (65nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.3A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	65nC	2V	150°C	PDF →
`AP2012S` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) UWAGA: Vds 18V < 20V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	18V	12A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	—	150°C	PDF →
`SI4862DY-T1-E3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 16V < 20V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (70nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	16V	17A	2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	70nC	0.6V	150°C	PDF →
`SI4136DY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (46nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	46A	1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	46nC	6V	150°C	PDF →
`SIRA24DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	44.5A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	4.8V	150°C	PDF →
`SI7862ADP-T1-E3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 16V < 20V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (80nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	16V	18A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	80nC	0.62V	150°C	PDF →
`SI7862ADP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 16V < 20V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (80nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	16V	18A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	80nC	2V	150°C	PDF →
`SI4186DY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (90nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	35.8A	2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	90nC	6.7V	150°C	PDF →
`SIRA26DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (44nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	30.3A	2.65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	44nC	4.5V	150°C	PDF →
`SIR800DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (50nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	50A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	4.1V	150°C	PDF →
`SIR800ADP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (53nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	50.2A	1.35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	53nC	3.6V	150°C	PDF →
`NTMFS4H02NT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (38.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	37A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	38.5nC	2.1V	150°C	PDF →
`SI4630DY-T1-E3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (36nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	40A	2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	6V	150°C	PDF →
`SI4630DY-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (36nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	40A	2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	6V	150°C	PDF →
`SI7868ADP-T1-E3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (150nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	40A	2.25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	150nC	1.6V	150°C	PDF →
`KNE7306A` KIA Semicon Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (75nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	50A	5.56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	75nC	2.5V	150°C	PDF →
`SIR440DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	60A	1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	6.3V	150°C	PDF →
`PH3120L,115` NXP Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (48.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	100A	2.65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48.5nC	2V	150°C	Szukaj PDF →
`SIR800DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (133nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	50A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	133nC	1.5V	150°C	PDF →
`TPH3R70APL` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (67nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	90A	6.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	67nC	6V	175°C	PDF →
`TPH1R306PL,L1Q` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (91nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	100A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	91nC	6V	—	PDF →
`SIRC16DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (48nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	60A	0.96mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48nC	2.4V	150°C	PDF →
`SIR438DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	60A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	6V	150°C	PDF →
`SIR862DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (90nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	50A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	90nC	5.8V	150°C	PDF →
`NTMFS4H01NT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (85nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	54A	0.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	85nC	2.1V	150°C	PDF →
`SIR178DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (310nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	100A	0.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	310nC	4.4V	150°C	PDF →
`SIRA32DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (83nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	60A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	83nC	4.4V	150°C	PDF →
`SIR140DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (52.8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	100A	0.67mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	52.8nC	5.2V	150°C	PDF →
`SIRA20DP-T1-RE3` SIRA20DP-T1-RE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (61nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	100A	0.58mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	61nC	2.1V	150°C	Szukaj PDF →
`SIRA22DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (155nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	60A	0.76mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	155nC	2.2V	150°C	PDF →
`SIJA22DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (125nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	64A	0.74mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	125nC	5.1V	150°C	PDF →
`SIRA20BDP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (186nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	82A	0.58mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	186nC	5.4V	150°C	PDF →
`SIRA58DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (75nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	185A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	75nC	4.4V	150°C	PDF →
`SIDR220DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (200nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	87.7A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	200nC	4.8V	150°C	PDF →
`SIDR220EP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (200nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	92.8A	0.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	200nC	4.8V	150°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (3)

AO4614B-HXY: polarity-mismatch (N vs P)
AO4800-HXY: polarity-mismatch (N vs P)
AO4800B-HXY: polarity-mismatch (N vs P)