Zamienniki dla MS8N120FT

MS8N120FT (MASPOWER)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: TO-220
Wymiary: 10.16 × 4.5 × 9 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (4)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`MS8N120FT` MASPOWER ↓ Twoj uklad	N	TO-220 10.16×4.5mm	1200V	8A	2300mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5nC	5V	175°C	PDF →
`STP12N120K5` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (44.2nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-220 10.16×4.5mm	1200V	12A	620mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	44.2nC	4V	150°C	PDF →
`TPA120R800A` WUXI UNIGROUP MICRO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (400nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-220 10.16×4.5mm	1200V	12A	620mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	400nC	2.5V	150°C	PDF →
`IV1Q12750O3` InventChip Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 6.4A < 8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15.8nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-220 10.16×4.5mm	1200V	6.4A	750mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15.8nC	4.3V	175°C	PDF →
`STP8NK100Z` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) UWAGA: Vds 1000V < 1200V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 6.5A < 8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (40nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-220 10.16×4.5mm	1000V	6.5A	1850mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	40nC	5V	150°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (14)

DMN95H8D5HCTI: vds-too-low, id-too-low
FQP2NA90: vds-too-low, id-too-low
FQP3N90: vds-too-low, id-too-low
FQP4N90: vds-too-low, id-too-low
FQP6N90C: vds-too-low, id-too-low
IRFBG20PBF: id-too-low
IRFBG20PBF-BE3: id-too-low
IRFBG30PBF: id-too-low
IXFP4N100PM: id-too-low
IXTP3N120: id-too-low
MS5N100FT: id-too-low
STP5N105K5: id-too-low
STP5N95K5: vds-too-low, id-too-low
STP5NK100Z: id-too-low