Zamienniki dla PE642DT

PE642DT (NIKO Semicon)

Typ ukladu: Dual MOSFET (2× N-channel)
Obudowa: DFN-8
Wymiary: 3.3 × 3.3 × 1 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (22)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`PE642DT` NIKO Semicon ↓ Twoj uklad	dual-N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	31A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.75V	150°C	PDF →
`S4896D` HL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	40A	7.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2V	—	PDF →
`WSD3056DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (7.2nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	35A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.2nC	1.8V	150°C	PDF →
`SISB46DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	40A	9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`HYG080NH03LR1C1` HUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	31A	8.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16nC	1.6V	175°C	PDF →
`ESN4838` ElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	33A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18nC	1.4V	—	PDF →
`ZC010DNG` DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.75V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (19nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	35A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	19nC	5V	150°C	PDF →
`TDM3412` Techcode Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	45A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	1.8V	150°C	PDF →
`WSD6035DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	40A	32mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.6V	150°C	PDF →
`IAUC45N04S6L063HATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8	40V	45A	6.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	175°C	PDF →
`IAUC45N04S6N070HATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8	40V	45A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.22V	175°C	PDF →
`IAUC60N04S6L030HATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8	40V	60A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	175°C	PDF →
`IAUC60N04S6L045HATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8	40V	60A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	175°C	PDF →
`IAUC60N04S6N050HATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8	40V	60A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.22V	175°C	PDF →
`IRF40H233ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.75V vs 3.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (57nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8	40V	65A	6.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	57nC	3.9V	175°C	Szukaj PDF →
`CSD86336Q3DT` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Vds 25V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8 3.3×3.3mm	25V	40A	9.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	0.6nC	1.11V	125°C	PDF →
`HSBF3202` HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 28A < 31A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	28A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`ESN4842` ElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 30A < 31A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (7.2nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.2nC	1.5V	—	PDF →
`SIZ340DT-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 30A < 31A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8	30V	30A	7.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2V	150°C	PDF →
`ESN4832` ElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 27A < 31A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	27A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.5V	—	PDF →
`AGM308MBP` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 28A < 31A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (19nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	28A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	19nC	1.6V	150°C	PDF →
`DMTH6010LPDQ-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20.3nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8	60V	47.6A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.3nC	1V	175°C	PDF →
`NVMFD5873NLWFT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8	60V	58A	10.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16.5nC	1.52V	175°C	PDF →