2N7002KW_R1_00001 (PANJIT International)
Raport jakosci danych
Kompletnosc: 100% (3/3 krytycznych pol)| Pole | Wartosc | Warunki pomiaru | Status |
|---|
| Vds (napiecie przebicia) | 60 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Id (prad ciagly) | 0.115 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Rds(on) | 4000 | Vgs=4.5V T=25°C Id=0.2A | OK |
| Vgs(th) (prog wlaczenia) | 2.5 | T=25°C Id=0.00025A | OK |
| Qg (calkowity ladunek bramki) | 0.8 | Vgs=4.5V T=25°C Id=0.2A | OK |
| Tj max (max. temp. zlacza) | 150 | warunki nieznane | bez warunkow |
Przed lutowaniem zweryfikuj parametry w datasheet.
Parametry elektryczne
Lista parametrow elektrycznych ukladu| Parametr | Wartosc |
|---|
id_a | 0.115 |
pd_w | 0.2 |
qg_nc | 0.8 |
rds_on_mohm | 4000 |
tj_max_c | 150 |
vds_v | 60 |
vgs_th_v | 2.5 |
Parametry podane przez dostawców
Wartości źródłowe zachowują oryginalne nazwy i zapis dostawcy. Sprawdź warunki pomiaru w karcie katalogowej przed doborem części.
Dane katalogowe z zachowaniem źródła| Parametr | Wartość dostawcy | Źródło |
|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 115mA (Ta) | digikey |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V | digikey |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | digikey |
| FET Feature | - | digikey |
| FET Type | N-Channel | digikey |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8 nC @ 4.5 V | digikey |
| Grade | - | digikey |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 35 pF @ 25 V | digikey |
| Mounting Type | Surface Mount | digikey |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | digikey |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 | digikey |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) | digikey |
| Qualification | - | digikey |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V | digikey |
| Supplier Device Package | SOT-323 | digikey |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | digikey |
| Vgs (Max) | ±20V | digikey |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | digikey |
| Dokument źródłowy SHA-256 | 84d6a67553243eb107a0b87c1ebb8195ec82a68f7b26cc9ae0f61ef9f5dee7b8 | manufacturer-pdf |
| Moc strat | 200 mW przy TA=25°C; str. 1 | manufacturer-pdf |
| Oznaczenie na obudowie | K72; str. 1 | manufacturer-pdf |
| Pełny model zamówieniowy | 2N7002KW_R1_00001, PANJIT; https://www.digikey.com/en/products/detail/panjit-international-inc/2N7002KW-R1-00001/14660865 | manufacturer-pdf |
| Pinout | 1=G, 2=S, 3=D; str. 1 | manufacturer-pdf |
| Prąd ciągły | 115 mA; TA=25°C; str. 1 | manufacturer-pdf |
| Qg | 0.8 nC maks.; VDS=15 V, VGS=4.5 V, ID=200 mA; str. 2 | manufacturer-pdf |
| Rds(on) przy 10 V | 3 Ω maks.; VGS=10 V, ID=500 mA, TA=25°C; str. 2 | manufacturer-pdf |
| Rds(on) przy 4.5 V | 4 Ω maks.; VGS=4.5 V, ID=200 mA, TA=25°C; str. 2 | manufacturer-pdf |
| Rodzaj | Pojedynczy MOSFET N-channel, ESD HBM 2 kV; str. 1 | manufacturer-pdf |
| VGS(th) | 1 V min., 2.5 V maks.; VDS=VGS, ID=250 µA; str. 2 | manufacturer-pdf |
Mapa pinow
Mapowanie pinow ukladu (pin -> funkcja -> typ)| Pin | Funkcja | Typ |
|---|
1 | G | signal |
2 | S | power |
3 | D | power |
Uwagi do danych
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
← Wroc do listy zamiennikow