ALD212900SAL (Advanced Linear Devices Inc.)
Identyfikacja
- Typ ukladu
- MOSFET
- Obudowa
- 8-SOIC(0.154",3.90MMWIDTH)
- Wymiary (L x W x H)
- 4.9 x 3.9 x 1.5 mm
Raport jakosci danych
Kompletnosc: 67% (2/3 krytycznych pol)| Pole | Wartosc | Warunki pomiaru | Status |
|---|---|---|---|
| Vds (napiecie przebicia) | 10.6 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Id (prad ciagly) | 0.08 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Rds(on) | — | — | BRAK |
| Vgs(th) (prog wlaczenia) | — | — | brak (opcjonalne) |
| Qg (calkowity ladunek bramki) | — | — | brak (opcjonalne) |
| Tj max (max. temp. zlacza) | 70 | warunki nieznane | bez warunkow |
Dane zostaly uzupelnione automatycznie - przed lutowaniem zweryfikuj je w datasheet.
Parametry elektryczne
| Parametr | Wartosc |
|---|---|
id_a | 0.08 |
pd_w | 500 |
tj_max_c | 70 |
vds_v | 10.6 |
Parametry podane przez dostawców
Wartości źródłowe zachowują oryginalne nazwy i zapis dostawcy. Sprawdź warunki pomiaru w karcie katalogowej przed doborem części.
| Parametr | Wartość dostawcy | Źródło |
|---|---|---|
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair | digikey |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80mA | digikey |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V | digikey |
| FET Feature | Logic Level Gate | digikey |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | digikey |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 5V | digikey |
| Mounting Type | Surface Mount | digikey |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TJ) | digikey |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | digikey |
| Power - Max | 500mW | digikey |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14Ohm | digikey |
| Supplier Device Package | 8-SOIC | digikey |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | digikey |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 20mV @ 20µA | digikey |
| Opakowanie | Tube | mouser |
| Standardowa ilość w opak. | 50 | mouser |
Mapa pinow
Brak mapy pinow w bazie.
Uwagi do danych
- Dane uzupelnione automatycznie - sprawdz parametry w datasheet.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.