AOZ5516QI (Alpha & Omega Semiconductor Inc.)
Identyfikacja
- Typ ukladu
- MOSFET
- Obudowa
- 31-POWERVFQFNMODULE
- Wymiary (L x W x H)
- 5 x 5 x 1 mm
Raport jakosci danych
Kompletnosc: 67% (2/3 krytycznych pol)| Pole | Wartosc | Warunki pomiaru | Status |
|---|---|---|---|
| Vds (napiecie przebicia) | 25 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Id (prad ciagly) | 55 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Rds(on) | — | — | BRAK |
| Vgs(th) (prog wlaczenia) | — | — | brak (opcjonalne) |
| Qg (calkowity ladunek bramki) | — | — | brak (opcjonalne) |
| Tj max (max. temp. zlacza) | 150 | warunki nieznane | bez warunkow |
Dane zostaly uzupelnione automatycznie - przed lutowaniem zweryfikuj je w datasheet.
Parametry elektryczne
| Parametr | Wartosc |
|---|---|
id_a | 55 |
sink_peak_a | 120 |
source_peak_a | 120 |
tj_max_c | 150 |
vcc_v | 5.5 |
vds_v | 25 |
vin_max_v | 5.5 |
vin_min_v | 4.5 |
Mapa pinow
Brak mapy pinow w bazie.
Uwagi do danych
- Dane uzupelnione automatycznie - sprawdz parametry w datasheet.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.