CSD87501L (Texas Instruments)
Identyfikacja
- Typ ukladu
- MOSFET
- Obudowa
- PICOSTAR-10(1.5X3.4)
- Wymiary (L x W x H)
- 1.5 x 3.4 x 1 mm
Pobierz datasheet ↗
Raport jakosci danych
Kompletnosc: 33% (1/3 krytycznych pol)| Pole | Wartosc | Warunki pomiaru | Status |
|---|
| Vds (napiecie przebicia) | — | — | BRAK |
| Id (prad ciagly) | — | — | BRAK |
| Rds(on) | 11 | Vgs=4.5V T=25°C Id=7A | OK |
| Vgs(th) (prog wlaczenia) | 1.8 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Qg (calkowity ladunek bramki) | 15 | Vgs=4.5V T=25°C Id=7A | OK |
| Tj max (max. temp. zlacza) | 150 | warunki nieznane | bez warunkow |
Przed lutowaniem zweryfikuj parametry w datasheet.
Parametry elektryczne
Lista parametrow elektrycznych ukladu| Parametr | Wartosc |
|---|
is_a | 14 |
pd_w | 2.5 |
qg_nc | 15 |
rds_on_mohm | 11 |
rs1s2_on_mohm | 11 |
tj_max_c | 150 |
vgs_th_v | 1.8 |
vs1s2_v | 30 |
Parametry podane przez dostawców
Wartości źródłowe zachowują oryginalne nazwy i zapis dostawcy. Sprawdź warunki pomiaru w karcie katalogowej przed doborem części.
Dane katalogowe z zachowaniem źródła| Parametr | Wartość dostawcy | Źródło |
|---|
| Dokument źródłowy SHA-256 | f8b721d9928fd012a77e37465cbbfe3922047b4e9fe8708c3927a5513c965c0a | manufacturer-pdf |
| Moc strat | 2.5 W; TA=25°C, warunki pola Cu jak dla prądu; str. 1 | manufacturer-pdf |
| Napięcie S1–S2 | 30 V; wartość graniczna; str. 1 | manufacturer-pdf |
| Obudowa | PICOSTAR YJG, 10 pól; 3.37 × 1.47 mm, wysokość 0.200 ± 0.020 mm, raster 0.65 mm; str. 8 | manufacturer-pdf |
| Oznaczenie na obudowie | CSD87501; pełny układ CSD87501L; tabela Device Marking w dodatku | manufacturer-pdf |
| Prąd ciągły źródła | 14 A, TA=25°C, pole Cu 1 in², 2 oz, FR4 0.06 in, RθJA typ. 50°C/W; str. 1 | manufacturer-pdf |
| Qg pojedynczego MOSFET-a | 15 nC typ., 20 nC maks. przy VGS=4.5 V; VS1S2=15 V, IS=7 A; str. 3, przypis 1 | manufacturer-pdf |
| Qg przy 10 V | 31 nC typ., 40 nC maks.; pojedynczy MOSFET; str. 3 | manufacturer-pdf |
| Qg(th) | 2.5 nC typ.; ładunek do napięcia progowego, nie całkowity Qg; str. 3 | manufacturer-pdf |
| Rezystancja całej ścieżki S1–S2 | 11 mΩ maks., 9.3 mΩ typ. przy VGS=4.5 V, IS=7 A, TA=25°C; str. 3 | manufacturer-pdf |
| Rezystancja całej ścieżki S1–S2 przy 10 V | 7.8 mΩ maks., 6.6 mΩ typ. przy VGS=10 V, IS=7 A, TA=25°C; str. 3 | manufacturer-pdf |
| Rodzaj | Dwa MOSFET-y N-channel, wspólny dren (common drain); str. 1 | manufacturer-pdf |
| Topologia pomiaru | Rds w dotychczasowym polu to RS1S2(on) dwóch tranzystorów w szeregu. Nie porównywać z Rds pojedynczego kanału. | manufacturer-pdf |
Mapa pinow
Mapowanie pinow ukladu (pin -> funkcja -> typ)| Pin | Funkcja | Typ |
|---|
A1 | S1 | source |
A2 | S2 | source |
B1 | S1 | source |
B2 | S2 | source |
C1 | G1 | gate |
C2 | G2 | gate |
D1 | S1 | source |
D2 | S2 | source |
E1 | S1 | source |
E2 | S2 | source |
Uwagi do danych
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
← Wroc do listy zamiennikow