FQAF6N80 (FQAF6N80)
Identyfikacja
- Typ ukladu
- MOSFET
- Obudowa
- TO-3PF
Raport jakosci danych
Kompletnosc: 67% (2/3 krytycznych pol)| Pole | Wartosc | Warunki pomiaru | Status |
|---|---|---|---|
| Vds (napiecie przebicia) | 800 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Id (prad ciagly) | — | — | BRAK |
| Rds(on) | 1950 | Vgs=10V | OK |
| Vgs(th) (prog wlaczenia) | 3 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Qg (calkowity ladunek bramki) | 31 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Tj max (max. temp. zlacza) | 150 | warunki nieznane | bez warunkow |
Przed lutowaniem zweryfikuj parametry w datasheet.
Parametry elektryczne
| Parametr | Wartosc |
|---|---|
qg_nc | 31 |
rds_on_mohm | 1950 |
tj_max_c | 150 |
vds_v | 800 |
vgs_th_v | 3 |
Mapa pinow
Brak mapy pinow w bazie.
Uwagi do danych
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.