G2R120MT33J (GeneSiC Semiconductor)
Identyfikacja
- Typ ukladu
- MOSFET
- Obudowa
- TO-263
- Wymiary (L x W x H)
- 10 x 8.4 x 4.6 mm
Pobierz datasheet ↗
Raport jakosci danych
Kompletnosc: 67% (2/3 krytycznych pol)| Pole | Wartosc | Warunki pomiaru | Status |
|---|
| Vds (napiecie przebicia) | — | — | BRAK |
| Id (prad ciagly) | 35 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Rds(on) | 4 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Vgs(th) (prog wlaczenia) | — | — | brak (opcjonalne) |
| Qg (calkowity ladunek bramki) | 145 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Tj max (max. temp. zlacza) | 175 | warunki nieznane | bez warunkow |
Przed lutowaniem zweryfikuj parametry w datasheet.
Parametry elektryczne
Lista parametrow elektrycznych ukladu| Parametr | Wartosc |
|---|
id_a | 35 |
qg_nc | 145 |
rds_on_mohm | 4 |
tj_max_c | 175 |
Mapa pinow
Mapowanie pinow ukladu (pin -> funkcja -> typ)| Pin | Funkcja | Typ |
|---|
1 | G | signal |
2 | D | power |
3 | S | power |
Uwagi do danych
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
← Wroc do listy zamiennikow