IPC50N04S5-5R8 (IPC50N04S5-5R8)
Identyfikacja
- Typ ukladu
- MOSFET
- Obudowa
- DFN-8
- Wymiary (L x W x H)
- 6.2 x 5.2 x 1 mm
Pobierz datasheet ↗
Raport jakosci danych
Kompletnosc: 67% (2/3 krytycznych pol)| Pole | Wartosc | Warunki pomiaru | Status |
|---|
| Vds (napiecie przebicia) | 40 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Id (prad ciagly) | — | — | BRAK |
| Rds(on) | 7.2 | Vgs=20V T=125°C Id=25A | OK |
| Vgs(th) (prog wlaczenia) | 2.22 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Qg (calkowity ladunek bramki) | 4 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Tj max (max. temp. zlacza) | — | — | brak (opcjonalne) |
Przed lutowaniem zweryfikuj parametry w datasheet.
Parametry elektryczne
Lista parametrow elektrycznych ukladu| Parametr | Wartosc |
|---|
qg_nc | 4 |
rds_on_mohm | 7.2 |
vds_v | 40 |
vgs_th_v | 2.22 |
Mapa pinow
Mapowanie pinow ukladu (pin -> funkcja -> typ)| Pin | Funkcja | Typ |
|---|
1 | S | power |
2 | S | power |
3 | S | power |
4 | G | signal |
5 | D | power |
6 | D | power |
7 | D | power |
8 | D | power |
Uwagi do danych
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
← Wroc do listy zamiennikow