SIHB12N50C-E3 (Vishay Siliconix)

Identyfikacja

Kompletnosc: 100% (3/3 krytycznych pol)

Pole	Wartosc	Warunki pomiaru	Status
Vds (napiecie przebicia)	500	warunki nieznane	bez warunkow
Id (prad ciagly)	12	warunki nieznane	bez warunkow
Rds(on)	555	warunki nieznane	bez warunkow
Vgs(th) (prog wlaczenia)	5	warunki nieznane	bez warunkow
Qg (calkowity ladunek bramki)	48	warunki nieznane	bez warunkow
Tj max (max. temp. zlacza)	150	warunki nieznane	bez warunkow

Dane zostaly uzupelnione automatycznie - przed lutowaniem zweryfikuj je w datasheet.

Wartości źródłowe zachowują oryginalne nazwy i zapis dostawcy. Sprawdź warunki pomiaru w karcie katalogowej przed doborem części.

Dane katalogowe z zachowaniem źródła
Parametr	Wartość dostawcy	Źródło
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)	digikey
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V	digikey
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	digikey
FET Feature	-	digikey
FET Type	N-Channel	digikey
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48 nC @ 10 V	digikey
Grade	-	digikey
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1375 pF @ 25 V	digikey
Mounting Type	Surface Mount	digikey
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	digikey
Package / Case	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	digikey
Power Dissipation (Max)	208W (Tc)	digikey
Qualification	-	digikey
Rds On (Max) @ Id, Vgs	555mOhm @ 4A, 10V	digikey
Supplier Device Package	TO-263 (D2PAK)	digikey
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	digikey
Vgs (Max)	±30V	digikey
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	digikey
Opakowanie	Bulk	mouser
Standardowa ilość w opak.	1000	mouser