SIHD6N65E-GE3 (Vishay Intertech)
Identyfikacja
- Typ ukladu
- MOSFET
- Obudowa
- TO-252
- Wymiary (L x W x H)
- 6.5 x 6.1 x 2.3 mm
Pobierz datasheet ↗
Raport jakosci danych
Kompletnosc: 100% (3/3 krytycznych pol)| Pole | Wartosc | Warunki pomiaru | Status |
|---|
| Vds (napiecie przebicia) | 650 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Id (prad ciagly) | 7 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Rds(on) | 600 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Vgs(th) (prog wlaczenia) | 4 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Qg (calkowity ladunek bramki) | 48 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Tj max (max. temp. zlacza) | 150 | warunki nieznane | bez warunkow |
Dane zostaly uzupelnione automatycznie - przed lutowaniem zweryfikuj je w datasheet.
Parametry elektryczne
Lista parametrow elektrycznych ukladu| Parametr | Wartosc |
|---|
id_a | 7 |
pd_w | 78 |
qg_nc | 48 |
rds_on_mohm | 600 |
tj_max_c | 150 |
vds_v | 650 |
vgs_th_v | 4 |
Mapa pinow
Mapowanie pinow ukladu (pin -> funkcja -> typ)| Pin | Funkcja | Typ |
|---|
1 | G | signal |
2 | D | power |
3 | S | power |
Uwagi do danych
- Dane uzupelnione automatycznie - sprawdz parametry w datasheet.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
← Wroc do listy zamiennikow