SIHD6N80AE-GE3 (Vishay)

Identyfikacja

Typ układu

MOSFET N-channel

Obudowa

TO-252

Wymiary (L x W x H)

6.5 x 6.1 x 2.3 mm

Napięcie Vds

800V

Prąd Id

100 A

Rds(on)

950 mΩ

Pobierz datasheet ↗

Widok obudowy (Top View)

Pełna tabela parametrów i szczegółowa tabela wyprowadzeń (3 pinów) są w planach płatnych