SIHH26N60E-T1-GE3 (SIHH26N60E-T1-GE3)
Identyfikacja
- Typ ukladu
- MOSFET
- Obudowa
- POWERPAK(8X8)
- Wymiary (L x W x H)
- 8 x 8 x 1 mm
Raport jakosci danych
Kompletnosc: 100% (3/3 krytycznych pol)| Pole | Wartosc | Warunki pomiaru | Status |
|---|---|---|---|
| Vds (napiecie przebicia) | 600 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Id (prad ciagly) | 100 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Rds(on) | 135 | Vgs=0V T=125°C Id=13A | OK |
| Vgs(th) (prog wlaczenia) | 2 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Qg (calkowity ladunek bramki) | 116 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Tj max (max. temp. zlacza) | — | — | brak (opcjonalne) |
Przed lutowaniem zweryfikuj parametry w datasheet.
Parametry elektryczne
| Parametr | Wartosc |
|---|---|
id_a | 100 |
qg_nc | 116 |
rds_on_mohm | 135 |
vds_v | 600 |
vgs_th_v | 2 |
Mapa pinow
Brak mapy pinow w bazie.
Uwagi do danych
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.