SIR826DP (Vishay)
Identyfikacja
- Typ ukladu
- MOSFET
- Obudowa
- PowerPAK
- Wymiary (L x W x H)
- 5 x 6 x 1 mm
- Pitch
- 1.27 mm
Pobierz datasheet ↗
Raport jakosci danych
Kompletnosc: 100% (3/3 krytycznych pol)| Pole | Wartosc | Warunki pomiaru | Status |
|---|
| Vds (napiecie przebicia) | 25 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Id (prad ciagly) | 65 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Rds(on) | 2.7 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Vgs(th) (prog wlaczenia) | 1.9 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Qg (calkowity ladunek bramki) | 40 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Tj max (max. temp. zlacza) | 175 | warunki nieznane | bez warunkow |
Przed lutowaniem zweryfikuj parametry w datasheet.
Parametry elektryczne
Lista parametrow elektrycznych ukladu| Parametr | Wartosc |
|---|
id_a | 65 |
qg_nc | 40 |
rds_on_mohm | 2.7 |
tj_max_c | 175 |
vds_v | 25 |
vgs_th_v | 1.9 |
Mapa pinow
Mapowanie pinow ukladu (pin -> funkcja -> typ)| Pin | Funkcja | Typ |
|---|
1 | S | power |
2 | S | power |
3 | S | power |
4 | G | signal |
5 | D | power |
6 | D | power |
7 | D | power |
8 | D | power |
← Wroc do listy zamiennikow