SQD100N02-3M5L_GE3 (SQD100N02-3M5L_GE3)
Identyfikacja
- Typ ukladu
- MOSFET
- Obudowa
- TO-252
- Wymiary (L x W x H)
- 6.5 x 6.1 x 2.3 mm
Pobierz datasheet ↗
Raport jakosci danych
Kompletnosc: 67% (2/3 krytycznych pol)| Pole | Wartosc | Warunki pomiaru | Status |
|---|
| Vds (napiecie przebicia) | 20 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Id (prad ciagly) | — | — | BRAK |
| Rds(on) | 3.5 | Vgs=10V T=25°C | OK |
| Vgs(th) (prog wlaczenia) | 1.52 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Qg (calkowity ladunek bramki) | 110 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Tj max (max. temp. zlacza) | — | — | brak (opcjonalne) |
Przed lutowaniem zweryfikuj parametry w datasheet.
Parametry elektryczne
Lista parametrow elektrycznych ukladu| Parametr | Wartosc |
|---|
pd_w | 83 |
qg_nc | 110 |
rds_on_mohm | 3.5 |
vds_v | 20 |
vgs_th_v | 1.52 |
Mapa pinow
Mapowanie pinow ukladu (pin -> funkcja -> typ)| Pin | Funkcja | Typ |
|---|
1 | G | signal |
2 | D | power |
3 | S | power |
Uwagi do danych
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
← Wroc do listy zamiennikow