SQJ123ELP-T1_GE3 (Vishay Siliconix)

Identyfikacja

Kompletnosc: 100% (3/3 krytycznych pol)

Pole	Wartosc	Warunki pomiaru	Status
Vds (napiecie przebicia)	12	warunki nieznane	bez warunkow
Id (prad ciagly)	238	warunki nieznane	bez warunkow
Rds(on)	4	warunki nieznane	bez warunkow
Vgs(th) (prog wlaczenia)	1.5	warunki nieznane	bez warunkow
Qg (calkowity ladunek bramki)	180	warunki nieznane	bez warunkow
Tj max (max. temp. zlacza)	175	warunki nieznane	bez warunkow

Dane zostaly uzupelnione automatycznie - przed lutowaniem zweryfikuj je w datasheet.

Wartości źródłowe zachowują oryginalne nazwy i zapis dostawcy. Sprawdź warunki pomiaru w karcie katalogowej przed doborem części.

Dane katalogowe z zachowaniem źródła
Parametr	Wartość dostawcy	Źródło
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	238A (Tc)	digikey
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V	digikey
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	digikey
FET Feature	-	digikey
FET Type	P-Channel	digikey
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	180 nC @ 4.5 V	digikey
Grade	Automotive	digikey
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11680 pF @ 6 V	digikey
Mounting Type	Surface Mount	digikey
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	digikey
Package / Case	PowerPAK® SO-8	digikey
Power Dissipation (Max)	375W (Tc)	digikey
Qualification	AEC-Q101	digikey
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 10A, 4.5V	digikey
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8	digikey
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	digikey
Vgs (Max)	±8V	digikey
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	digikey
Standardowa ilość w opak.	3000	mouser