ChipChecker

SQJ990EP-T1_GE3 (Vishay Siliconix)

Identyfikacja

Typ ukladu
MOSFET
Obudowa
SO-8
Wymiary (L x W x H)
4.9 x 3.9 x 1.5 mm

Pobierz datasheet ↗

Raport jakosci danych

Kompletnosc: 100% (3/3 krytycznych pol)
PoleWartoscWarunki pomiaruStatus
Vds (napiecie przebicia)100warunki nieznanebez warunkow
Id (prad ciagly)34warunki nieznanebez warunkow
Rds(on)40warunki nieznanebez warunkow
Vgs(th) (prog wlaczenia)2.5warunki nieznanebez warunkow
Qg (calkowity ladunek bramki)30warunki nieznanebez warunkow
Tj max (max. temp. zlacza)175warunki nieznanebez warunkow

Dane zostaly uzupelnione automatycznie - przed lutowaniem zweryfikuj je w datasheet.

Parametry elektryczne

Lista parametrow elektrycznych ukladu
ParametrWartosc
id_a34
pd_w48
qg_nc30
rds_on_mohm40
tj_max_c175
vds_v100
vgs_th_v2.5

Parametry podane przez dostawców

Wartości źródłowe zachowują oryginalne nazwy i zapis dostawcy. Sprawdź warunki pomiaru w karcie katalogowej przed doborem części.

Dane katalogowe z zachowaniem źródła
ParametrWartość dostawcyŹródło
Configuration2 N-Channel (Dual)digikey
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A (Tc)digikey
Drain to Source Voltage (Vdss)100Vdigikey
FET Feature-digikey
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V, 15nC @ 10Vdigikey
GradeAutomotivedigikey
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1390pF @ 25V, 650pF @ 25Vdigikey
Mounting TypeSurface Mountdigikey
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)digikey
Package / CasePowerPAK® SO-8 Dualdigikey
Power - Max48Wdigikey
QualificationAEC-Q101digikey
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10Vdigikey
Supplier Device PackagePowerPAK® SO-8 Dual Asymmetricdigikey
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)digikey
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µAdigikey
OpakowanieCut Tapemouser
OpakowanieMouseReelmouser
OpakowanieReelmouser
Standardowa ilość w opak.3000mouser

Mapa pinow

Brak mapy pinow w bazie.

Uwagi do danych

  • Dane uzupelnione automatycznie - sprawdz parametry w datasheet.
  • Wymaga dodatkowej weryfikacji.
  • Wymaga dodatkowej weryfikacji.

← Wroc do listy zamiennikow