SQJQ186ER-T1_GE3 (SQJQ186ER-T1_GE3)
Identyfikacja
- Typ ukladu
- MOSFET
- Obudowa
- SMD-8P
Raport jakosci danych
Kompletnosc: 67% (2/3 krytycznych pol)| Pole | Wartosc | Warunki pomiaru | Status |
|---|---|---|---|
| Vds (napiecie przebicia) | 80 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Id (prad ciagly) | — | — | BRAK |
| Rds(on) | 2.3 | Vgs=10V T=25°C | OK |
| Vgs(th) (prog wlaczenia) | 2.533 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Qg (calkowity ladunek bramki) | 5 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Tj max (max. temp. zlacza) | — | — | brak (opcjonalne) |
Przed lutowaniem zweryfikuj parametry w datasheet.
Parametry elektryczne
| Parametr | Wartosc |
|---|---|
pd_w | 600 |
qg_nc | 5 |
rds_on_mohm | 2.3 |
vds_v | 80 |
vgs_th_v | 2.533 |
Mapa pinow
Brak mapy pinow w bazie.
Uwagi do danych
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.