STU2N105K5 (STMicroelectronics)

Identyfikacja

Kompletnosc: 100% (3/3 krytycznych pol)

Pole	Wartosc	Warunki pomiaru	Status
Vds (napiecie przebicia)	1050	warunki nieznane	bez warunkow
Id (prad ciagly)	1.5	warunki nieznane	bez warunkow
Rds(on)	5000	warunki nieznane	bez warunkow
Vgs(th) (prog wlaczenia)	5	warunki nieznane	bez warunkow
Qg (calkowity ladunek bramki)	10	warunki nieznane	bez warunkow
Tj max (max. temp. zlacza)	150	warunki nieznane	bez warunkow

Dane zostaly uzupelnione automatycznie - przed lutowaniem zweryfikuj je w datasheet.

Wartości źródłowe zachowują oryginalne nazwy i zapis dostawcy. Sprawdź warunki pomiaru w karcie katalogowej przed doborem części.

Dane katalogowe z zachowaniem źródła
Parametr	Wartość dostawcy	Źródło
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.5A (Tc)	digikey
Drain to Source Voltage (Vdss)	1050 V	digikey
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	digikey
FET Feature	-	digikey
FET Type	N-Channel	digikey
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V	digikey
Grade	-	digikey
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	115 pF @ 100 V	digikey
Mounting Type	Through Hole	digikey
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	digikey
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	digikey
Power Dissipation (Max)	60W (Tc)	digikey
Qualification	-	digikey
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8Ohm @ 750mA, 10V	digikey
Supplier Device Package	TO-251 (IPAK)	digikey
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	digikey
Vgs (Max)	±30V	digikey
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 100µA	digikey