TSD30H100CW (Taiwan Semiconductor)
Identyfikacja
- Typ ukladu
- MOSFET
Raport jakosci danych
Kompletnosc: 67% (2/3 krytycznych pol)| Pole | Wartosc | Warunki pomiaru | Status |
|---|---|---|---|
| Vds (napiecie przebicia) | 100 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Id (prad ciagly) | 30 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Rds(on) | — | — | BRAK |
| Vgs(th) (prog wlaczenia) | — | — | brak (opcjonalne) |
| Qg (calkowity ladunek bramki) | — | — | brak (opcjonalne) |
| Tj max (max. temp. zlacza) | — | — | brak (opcjonalne) |
Dane zostaly uzupelnione automatycznie - przed lutowaniem zweryfikuj je w datasheet.
Parametry elektryczne
| Parametr | Wartosc |
|---|---|
id_a | 30 |
vds_v | 100 |
Parametry podane przez dostawców
Wartości źródłowe zachowują oryginalne nazwy i zapis dostawcy. Sprawdź warunki pomiaru w karcie katalogowej przed doborem części.
| Parametr | Wartość dostawcy | Źródło |
|---|---|---|
| Opakowanie | Cut Tape | mouser |
| Opakowanie | Reel | mouser |
| Standardowa ilość w opak. | 800 | mouser |
Mapa pinow
Brak mapy pinow w bazie.
Uwagi do danych
- Dane uzupelnione automatycznie - sprawdz parametry w datasheet.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.