WSD100N06GDN56 (Winsok Semicon)
Identyfikacja
- Typ ukladu
- MOSFET
- Obudowa
- DFN-8
- Wymiary (L x W x H)
- 5.8 x 5.3 x 1 mm
Pobierz datasheet ↗
Raport jakosci danych
Kompletnosc: 100% (3/3 krytycznych pol)| Pole | Wartosc | Warunki pomiaru | Status |
|---|
| Vds (napiecie przebicia) | 60 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Id (prad ciagly) | 100 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Rds(on) | 3 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Vgs(th) (prog wlaczenia) | 8 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Qg (calkowity ladunek bramki) | 58 | warunki nieznane | bez warunkow |
| Tj max (max. temp. zlacza) | 150 | warunki nieznane | bez warunkow |
Dane zostaly uzupelnione automatycznie - przed lutowaniem zweryfikuj je w datasheet.
Parametry elektryczne
Lista parametrow elektrycznych ukladu| Parametr | Wartosc |
|---|
id_a | 100 |
qg_nc | 58 |
rds_on_mohm | 3 |
tj_max_c | 150 |
vds_v | 60 |
vgs_th_v | 8 |
Mapa pinow
Mapowanie pinow ukladu (pin -> funkcja -> typ)| Pin | Funkcja | Typ |
|---|
16 | NC | nc |
58 | NC | nc |
65 | G | signal |
Uwagi do danych
- Dane uzupelnione automatycznie - sprawdz parametry w datasheet.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
← Wroc do listy zamiennikow