ASDM30N120KQ-RASDsemi ↓ Twoj uklad | N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 120A | 2.53mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 63nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
AGM403D1AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 120A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
AGM603DAGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 130A | 2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
TK1R4S04PB,LXHQTOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.52V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 120A | 1.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 3V | — | PDF → |
TTD120N03ATWUXI UNIGROUP MICRO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 120A | 2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.7V | 175°C | PDF → |
TTD160N03GTWUXI UNIGROUP MICRO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 160A | 1.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.7V | 175°C | PDF → |
DC004NG-YDOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 120A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
DOD120N03DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 120A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
DMTH3004LK3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 120A | 3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.6nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
FDD8870-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 120A | 3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.6nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
NTD4804N-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 120A | 3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.6nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
NTD4904N-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 120A | 3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.6nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
PSMN3R4-30BLE-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 120A | 3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.6nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
HSU150N03HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 150A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
SE30150BSINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 150A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2nC | 2V | 150°C | PDF → |
AP30H150KALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 150A | 3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 54nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
NCE30H15KWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 150A | 4.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 38nC | 1.7V | 175°C | PDF → |
HYG023N04NR1DHUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.52V vs 2.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 22.84V | 140A | 2.32mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 82nC | 2.8V | 125°C | PDF → |
AP30H150KAALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 150A | 6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 70nC | 1V | 175°C | PDF → |
NCE30H12KWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 120A | 3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 79nC | 1.6V | 175°C | PDF → |
SK120N03BShikues Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 120A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 81nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
NCE30H14KWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 140A | 2.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 80nC | 1.6V | 175°C | PDF → |
JMTK060N06AJiangsu JieJie Microelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.52V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (103nC vs 63nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 25V | 120A | 4.55mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 103nC | 3V | 175°C | PDF → |
HYG025N04NA1DHUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.52V vs 4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (122.6nC vs 63nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 22.74V | 125A | 40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 122.6nC | 4V | 125°C | PDF → |
IRFR7440TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (134nC vs 63nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 180A | 1.92mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 134nC | 2.23V | 125°C | PDF → |
SP30N02AGTHSiliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 150A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.01V | — | PDF → |
AOD210-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 160A | 2.24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.22V | 150°C | PDF → |
AOD508-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 160A | 2.24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.22V | 150°C | PDF → |
DMN3009SK3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 160A | 2.24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.22V | 150°C | PDF → |
IRLR8743TRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.52V vs 7.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (257nC vs 63nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 120A | 2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 257nC | 7.5V | — | PDF → |
LR7833-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.52V vs 7.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (257nC vs 63nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 120A | 2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 257nC | 7.5V | — | PDF → |
LR7843-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.52V vs 7.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (257nC vs 63nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 120A | 2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 257nC | 7.5V | — | PDF → |
AGM303DAGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 110A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 110A | 2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
KND3206AKIA Semicon Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 110A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 110A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 2V | 175°C | PDF → |
AGM303D1AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 100A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
AOD456-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 0.5V | 175°C | PDF → |
AOD472-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 0.5V | 175°C | PDF → |
FDD8580&-6-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 0.5V | 175°C | PDF → |
MOT100N02DMOT Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 100A | 4000mΩ Vgs=0V, temperatura nieznana | 48nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
PHD38N02LT-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 100A | 4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 0.5V | — | PDF → |
VBE1206VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 100A | 4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 0.5V | 175°C | PDF → |
VBZE06N02VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 0.5V | 175°C | PDF → |
VBZE06N03VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 0.5V | 175°C | PDF → |
VBZE30N02VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 0.5V | 175°C | PDF → |
VBZE60N02VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 0.5V | 175°C | PDF → |
FDD8874onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 116A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 116A | 4.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.2V | 175°C | PDF → |
HSU3018BHUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 110A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 110A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
ME96N03-GMATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 107.2A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 107.2A | 2.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 62nC | 1V | 150°C | PDF → |
PD632BANIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 105A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 105A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
NCE30H11BKWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 110A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 110A | 4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 66.3nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
30H10KShenzhen Fuman Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.52V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.64mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 58nC | 5V | 175°C | PDF → |
AOD4132-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
AOD516-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
BRD100N03Foshan Blue Rocket Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1V | 150°C | PDF → |
CS100N03B4Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1V | 175°C | PDF → |
DC004NG-BDOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 1.6V | 175°C | PDF → |
DOD100N03DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 1.6V | 175°C | PDF → |
HXY100N03DHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
HYG030N03LQ1DHUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 54.8nC | 1.3V | 175°C | PDF → |
IPD050N03LG-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
IRLR8726PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
JMTK3004AJiangsu JieJie Microelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 2.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
ME95N03-GMATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1V | 150°C | PDF → |
MOT100N03MDMOT Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 57.2nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
PSMN4R3-30BL-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
SE30100BSINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.52V vs 3.04V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2nC | 3.04V | 175°C | PDF → |
SM4146T9RL-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
SM514T9RL-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
STN8882D-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
WSF30100Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13.8nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
WSF30100DWinsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.64mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 1.01V | 175°C | PDF → |
HSU3016HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 96A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 96A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1V | 175°C | PDF → |
NCE30H11KWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 110A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 110A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 70nC | 1.6V | 175°C | PDF → |
HYG023N03LR1DHUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 110A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 110A | 2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 93nC | 1.7V | 175°C | PDF → |
NCE30H10KWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 70nC | 1.6V | 175°C | PDF → |
SQD100N02_3M5L4GE3SQD100N02_3M5L4GE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (110nC vs 63nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Id
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | — | 3.5mΩ Vgs=10V, 25°C | 110nC | 1.52V | — | PDF → |
SQD100N02-3M5L_GE3SQD100N02-3M5L_GE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (110nC vs 63nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Id
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | — | 3.5mΩ Vgs=10V, 25°C | 110nC | 1.52V | — | PDF → |
SP60N03GHTHSiliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.52V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- UWAGA: Id 110A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 110A | 60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | 150°C | PDF → |
IRFR1010ZTRLPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 110A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 110A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.04V | 175°C | PDF → |
AP30H100KAALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 84nC | 1V | 175°C | PDF → |
IRLR3636TRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 97A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (125nC vs 63nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 97A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 125nC | 2.04V | 175°C | PDF → |
STD65N55F3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 97A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (125nC vs 63nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 97A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 125nC | 2.04V | 175°C | PDF → |
VBE1606VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 97A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (125nC vs 63nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 97A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 125nC | 2.04V | 175°C | PDF → |
CEU6086-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 97A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 97A | 6.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.04V | 175°C | PDF → |
UTT60N06L-TN3-R-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 97A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 20V | 97A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.04V | 175°C | PDF → |
IRFR3709ZCT-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.52V vs 7.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (100nC vs 63nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 5000mΩ Vgs=10V, 25°C | 100nC | 7.5V | — | PDF → |
SQD100N03-3M2L_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (116nC vs 63nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 116nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQD100N03-3M4_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.52V vs 3.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (124nC vs 63nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 124nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
AP0403GH-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.5V | — | PDF → |
AP85U03GH-HF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.5V | — | PDF → |
ASDM30N100KQ-RASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.6V | 175°C | PDF → |
B04N03-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.5V | — | PDF → |
BUK9213-30A-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.5V | — | PDF → |
CMD04N03-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.52V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
HY3003DHUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
IRFR3709ZT-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.5V | — | PDF → |
IRLR8103VTRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.5V | — | PDF → |
QM3016D-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.5V | — | PDF → |
STD95N2LH5-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.5V | — | PDF → |
SUD70N03-04P-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.5V | — | PDF → |
VBZE7843VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.52V vs 7.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (160nC vs 63nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 160nC | 7.5V | 175°C | PDF → |
IRLR7843TRPBF&-2-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.52V vs 7.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 100A < 120A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (257nC vs 63nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-252 6.5×6.1mm | 30V | 100A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 257nC | 7.5V | — | PDF → |