Zamienniki dla BSC024NE2LSATMA1

BSC024NE2LSATMA1 (Infineon Technologies)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: DFN-8
Wymiary: —

Brakuje danych: wymiary, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (317)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet	Sklep KolegaInformatyk
`BSC024NE2LSATMA1` Infineon Technologies ↓ Twoj uklad	N	DFN-8	25V	25A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23nC	2V	150°C	PDF →	—
`CSD16403Q5A` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	25V	28A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18nC	1.9V	150°C	PDF →	—
`BSZ0901NSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	25A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`CJAB25N03` Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`ESN7410` ElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.8nC	1.5V	—	PDF →	—
`JSM3622` JSMSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.2nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`RJK03E1DNS-00#J5` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	6.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.7nC	—	—	PDF →	—
`SM3316NSQGC-TRG` Sinopower Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.9nC	1.9V	—	PDF →	—
`WSD3028DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.6V	—	PDF →	—
`NTTFS4C06NTWG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25.6A	4.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11.616nC	1.32V	150°C	PDF →	—
`BSC0901NSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	28A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`CSD17301Q5A` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 4.9×5.8mm	30V	28A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.9nC	1.1V	150°C	PDF →	—
`G28N03D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 6.512V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	28A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	6.512V	150°C	PDF →	—
`ISC019N03L5SATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	28A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`BSZ014NE2LS5IFATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	31A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`BSC0501NSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	29A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`AON7410-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`AON7430-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`AON7430-MS` MSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`BSZ130N03LS G-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	2000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`BSZ130N03MSG-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`CSD16323Q3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5.6V	150°C	PDF →	—
`CSD16406Q3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5.6V	150°C	PDF →	—
`CSD17579Q3A-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5.6V	150°C	PDF →	—
`DMN3018SFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.7V	150°C	PDF →	—
`FDMC7696-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`FDMC8878-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`G30N03D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.01V	150°C	PDF →	—
`HN2288` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`HXY30N03DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`MCP87130-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`RJK03E0DNS-00#J5` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	5.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15.2nC	—	—	PDF →	—
`RJK03M8DNS-00#J5` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.5nC	—	—	PDF →	—
`RQ3E130MNTB-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	4500mΩ Vgs=10V, temperatura nieznana	10nC	5.6V	150°C	PDF →	—
`SED3030M` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 7.48V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	7.48mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	7.48V	175°C	PDF →	—
`SIS412DN-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	4500mΩ Vgs=10V, temperatura nieznana	10nC	5.6V	150°C	PDF →	—
`SIS436DN-T1-GE3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	4500mΩ Vgs=10V, temperatura nieznana	10nC	5.6V	150°C	PDF →	—
`TPN11003NL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`VBQF1310` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	4500mΩ Vgs=10V, temperatura nieznana	20nC	5.6V	150°C	PDF →	—
`PE5E4BA` NIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	31A	14.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	2V	150°C	PDF →	—
`BSZ011NE2LS5IATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	35A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`HYG082N03LR1C1` HUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	32A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.8nC	1.8V	175°C	PDF →	—
`PE600BA` NIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	32A	10.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.75V	150°C	PDF →	—
`SM32314D1RL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6.1×5.2mm	30V	32A	13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.11V	173°C	PDF →	—
`NTTFS4985NFTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	32.4A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13.6nC	1.21V	150°C	PDF →	—
`HY1503C1` HUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	34A	7.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.6nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`PE616BA` NIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	36A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.8V	150°C	PDF →	—
`ISC011N03L5SATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	37A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`SISA10DN` Vishay Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	40A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`BSC010NE2LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.1×5.9mm	25V	39A	1.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`BSZ009NE2LS5` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	25V	40A	0.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`BSC009NE2LS5IATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	40A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.21V	150°C	PDF →	—
`BSZ013NE2LS5I` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	25V	40A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`BSZ017NE2LS5I` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	25V	40A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`BSZ033NE2LS5` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	25V	40A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`ISZ0901NLS` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	25V	40A	8.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.1nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`MCP87130T-U/LC` Microchip Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	25V	43A	13.816mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	0.6V	150°C	PDF →	—
`BSC120N03LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	39A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`AP30H50Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	40A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13.3nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`BSZ058N03MS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	40A	5.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	19nC	2V	150°C	PDF →	—
`BSZ100N03LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	40A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.3nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`CSD16411Q3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	40A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5.6V	150°C	PDF →	—
`PK600BA` NIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6.1×5.2mm	30V	40A	9.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14nC	1.75V	150°C	PDF →	—
`QM3004M3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	40A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5.6V	150°C	PDF →	—
`ZC010NG` DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	40A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1V	150°C	PDF →	—
`SM6366ED1RL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6.1×5.2mm	30V	34A	5.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	28nC	1.21V	150°C	PDF →	—
`BSC018NE2LSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Qg wyzsze (36nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	29A	1.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	2V	150°C	PDF →	—
`AON7522` Alpha & Omega Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`AON7418` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	30V	46A	1.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.21V	150°C	PDF →	—
`MSK50N03DF` MSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	46A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`VBQF1303` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33.5nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`AONR36366` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (35nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	30V	30A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	2.1V	150°C	PDF →	—
`BSC050NE2LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	58A	7.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`AON7422L-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5.6V	150°C	PDF →	—
`AON7442` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	1.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.21V	150°C	PDF →	—
`AON7506-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	175°C	PDF →	—
`CSD17307Q5A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	50A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.9nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`DMG7430LFG-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	175°C	PDF →	—
`DOZ50N03` DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	21nC	5V	150°C	PDF →	—
`HXY50N03DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	175°C	PDF →	—
`IRFH3702TRPBF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5.6V	150°C	PDF →	—
`NTTFS4929N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	2000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1.2V	175°C	PDF →	—
`SISA96DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	2000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1.2V	175°C	PDF →	—
`SM6536D1RL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	50A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.9nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`VBZQF50N03` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	4500mΩ Vgs=10V, temperatura nieznana	20nC	5.6V	150°C	PDF →	—
`WSD3050DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	6.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.8V	—	PDF →	—
`CSD16327Q3` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	25V	60A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.4nC	1.4V	150°C	PDF →	—
`CSD16340Q3` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	25V	60A	4.35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	0.6V	150°C	PDF →	—
`PK6B2BA` NIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6.1×5.2mm	30V	52A	5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`TSM085N03PQ33 RGG` Taiwan Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	52A	6.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.3nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`AON7508` Alpha & Omega Semiconductor Inc. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (40nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	30V	26A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	40nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`SM6536D1RL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6.1×5.2mm	30V	55A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	1.31V	150°C	PDF →	—
`CSD17304Q3` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	56A	6.98mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	0.9nC	1.3V	150°C	PDF →	—
`BSC026NE2LS5` BSC026NE2LS5 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	25V	66A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.21V	150°C	PDF →	—
`BSZ035N03LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	40A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`BSC052N03LS` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	57A	7.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	—	PDF →	—
`PK618BA` NIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6.1×5.2mm	30V	59A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.75V	150°C	PDF →	—
`CSD17577Q5A` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	60A	3.54mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.5nC	1.4V	150°C	PDF →	—
`DMN3009LFVW-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1V	150°C	PDF →	—
`DMN3009LFVWQ-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1V	150°C	PDF →	—
`DMT3006LFV-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	5.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.4nC	1V	150°C	PDF →	—
`FDMC2514SDC-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5.6V	150°C	PDF →	—
`SM6362D1RL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6.1×5.2mm	30V	60A	9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.1nC	1.11V	132°C	PDF →	—
`WSD3060DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.8V	—	PDF →	—
`VBQF1306` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (40nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	4000mΩ Vgs=4V, temperatura nieznana	40nC	5V	150°C	PDF →	—
`BSC0901NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (44nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	28A	1.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	44nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`CSD16404Q5A` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	25V	81A	4.15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1.5nC	1.8V	150°C	PDF →	—
`NVTFS4C02NWFTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (45nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	28.3A	2.25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	45nC	2.2V	175°C	PDF →	—
`BSC016N03MSG` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	30V	28A	1.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`BSC032NE2LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	84A	4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`JSM7788` JSMSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	40A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	29nC	1.21V	150°C	PDF →	—
`PK650BA` NIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6.1×5.2mm	30V	70A	3.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.7V	150°C	PDF →	—
`SM6796D1RL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6.1×5.2mm	30V	70A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.5nC	2V	150°C	PDF →	—
`BSZ058N03LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	71A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	1V	150°C	PDF →	—
`CSD17307Q5A` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	73A	9.712mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	0.65nC	1.3V	150°C	PDF →	—
`NTTFSC4937NTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	75A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15.7nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`AON7524` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (50nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	30V	25A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	0.4V	150°C	PDF →	—
`DMT35M7LFV-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	76A	3.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	21nC	1V	150°C	PDF →	—
`BSC009NE2LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	100A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1V	150°C	PDF →	—
`BSC010NE2LSI` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	25V	100A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`BSC014NE2LSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	100A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`BSC018NE2LS` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	25V	100A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`BSC018NE2LSI` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	25V	100A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`BSC024NE2LS` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	25V	100A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`CSD16321Q5` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.2×6.2mm	25V	100A	2.83mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.1nC	1.1V	150°C	PDF →	—
`BSC0904NSI` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	78A	5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`PK632BA` NIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.8×4.9mm	30V	78A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.9V	150°C	PDF →	—
`AON7422E-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`CSD17304Q3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`HXY80N03DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`IRFHM8329PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`NTTFS4821N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`NTTFS4928N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`NTTFS4C10N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`NVTFS4C10N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`SED3080M` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 4.56V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	4.56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	4.56V	175°C	PDF →	—
`SED3081M` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	5.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	5V	175°C	PDF →	—
`SIS402DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`WSD3066DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27.5nC	1.8V	150°C	PDF →	—
`TSM060N03PQ33 RGG` Taiwan Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	62A	4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25.4nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`CSD17302Q5A` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 4.9×5.7mm	30V	87A	7.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	0.9nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`AO6992` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	30V	31A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →	Zobacz ofertę →
`AGM303AP` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	55A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	6V	150°C	PDF →	—
`MOT3180J` MOT Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	40A	8.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32.3nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`AON7405` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (57nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	6.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	57nC	2.2V	—	PDF →	—
`AO32314` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	30V	32A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →	Zobacz ofertę →
`AON32314` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	30V	32A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →	Zobacz ofertę →
`BSC011N03LSI` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	100A	1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	—	PDF →	—
`BSC011N03LST` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.9×5.2mm	30V	100A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	175°C	PDF →	—
`BSZ0502NSI` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	100A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	2V	150°C	Szukaj PDF →	—
`CSD17501Q5A` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	100A	2.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17nC	1.8V	150°C	PDF →	—
`ISC026N03L5S` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.1×5.9mm	30V	100A	2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	2V	150°C	Szukaj PDF →	—
`BSZ0500NSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (52nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	30A	1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	52nC	2V	150°C	PDF →	—
`NCE3035Q` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (45nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	35A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	45nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`BSC025N03LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (74nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	25A	2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	74nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`AON7422G` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	30V	32A	4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	2.4V	150°C	PDF →	—
`BSC0902NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`AON7318` Alpha & Omega Semiconductor Inc. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (52nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	30V	36.5A	1.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	52nC	2.3V	150°C	PDF →	—
`TPN1R203PL` Toshiba Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (35nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	65A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`AONR21357-ES` ElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (35nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	1V	150°C	PDF →	—
`AON7428` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	30V	34A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	2.3V	150°C	PDF →	—
`AP30H80Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	70A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33.7nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`AON7566` Alpha & Omega Semiconductor Inc. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (80nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	30V	34A	3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	80nC	2.4V	150°C	PDF →	—
`BSC100N03MS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 5×6mm	30V	44A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`IRFH8307TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (50nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	42A	1.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	1.8V	150°C	PDF →	—
`BSC016N03MSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (173nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	28A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	173nC	1V	150°C	PDF →	—
`ESN7534` ElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (48nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	45A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48nC	1.75V	150°C	PDF →	—
`BSC090N03LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 5×6mm	30V	47A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`MOT3150J` MOT Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (38.4nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	65A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	38.4nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`PK616BA` NIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.8×4.9mm	30V	50A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2V	—	PDF →	—
`ME7114S-G` MATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (37nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	71A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	37nC	1V	150°C	PDF →	—
`DMN3008SFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (41nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	62A	3.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	41nC	1V	150°C	PDF →	—
`BSC016N03LSGATMA1/BK` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (131nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	32A	1.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	131nC	2.2V	150°C	Szukaj PDF →	—
`NCEP3090GU` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (34.8nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 4.9×5.8mm	30V	90A	3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	34.8nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`NP60N03QR` NATLINEAR Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (42.3nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	42.3nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`DMT32M5LFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	100A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	34nC	1.4V	150°C	PDF →	—
`DMT32M5LPSW-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	100A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	34nC	1V	150°C	PDF →	—
`SM95N03AD1RL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (36nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 4.9×5.7mm	30V	95A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	1.01V	150°C	PDF →	—
`ISC011N03L5S` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (36nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.2×6.2mm	30V	100A	0.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	2V	150°C	Szukaj PDF →	—
`SKQ50N03BD` Shikues Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (52.8nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	4.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	52.8nC	1.5V	175°C	PDF →	—
`AON7406` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (810nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	30V	25A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	810nC	1.21V	—	PDF →	Zobacz ofertę →
`AON7406L` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (810nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	25A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	810nC	1.21V	—	Szukaj PDF →	—
`QM3016M6-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 7.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (160nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.2×6.2mm	30V	33A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	160nC	7.5V	175°C	PDF →	—
`AON7528` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	30V	45A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`S60N03D` HL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	62A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2V	—	PDF →	—
`DMTH3002LPS-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (37nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	100A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	37nC	1V	175°C	PDF →	—
`BSC886N03LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	30V	65A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →	—
`AP045N03M` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3.2mm	30V	75A	6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2.5V	—	PDF →	—
`G48N03D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	75A	75mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.11V	—	PDF →	—
`CSD17581Q3AT` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (54nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3.2mm	30V	60A	3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	54nC	1.7V	150°C	PDF →	—
`BSZ009NE2LS5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (124nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	39A	900mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	124nC	2V	150°C	PDF →	—
`AON7418-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	5.5V	150°C	PDF →	—
`HYG032N03LR1C1` HUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (61nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	55A	3.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	61nC	1.8V	175°C	PDF →	—
`RU3091M` Shenzhen ruichips Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.8×4.9mm	30V	90A	3.44mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2.5V	150°C	PDF →	—
`BSC016N03LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 5×6mm	30V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`BSC025N03MS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 5×6mm	30V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`BSC030N03MS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 5×6mm	30V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`BSC004NE2LS5ATMA1` BSC004NE2LS5ATMA1 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (238nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	40A	0.45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	238nC	2V	175°C	PDF →	—
`BSC010NE2LSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (59nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	100A	1.05mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	59nC	2V	—	PDF →	—
`BSC030N03LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (55nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	55nC	1V	150°C	PDF →	—
`AON7510` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (140nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	45A	1.25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	140nC	2V	150°C	PDF →	—
`AP90N03Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	90A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`IRFH8303TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (58nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	58nC	1.7V	150°C	PDF →	—
`AONR32318` Alpha & Omega Semiconductor Inc. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (150nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	150nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`BSC011N03LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (72nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	100A	1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	72nC	2.2V	175°C	PDF →	—
`BSC030N03MSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (73nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	73nC	2V	150°C	PDF →	—
`BSC020N03LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (93nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	100A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	93nC	1V	150°C	PDF →	—
`BSC020N03MSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (124nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	124nC	1V	150°C	PDF →	—
`BSC014N03LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (131nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	131nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`BSC009NE2LS5I` BSC009NE2LS5I Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	25V	—	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.21V	—	PDF →	—
`AON7530` Alpha & Omega Semiconductor Inc. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 24A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	30V	24A	4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18.8nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`CSD17306Q5A` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 24A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	24A	3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15.3nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`JSM7410` JSMSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 24A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	24A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.5nC	1.41V	150°C	PDF →	—
`BSZ018NE2LSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 22A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	22A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`ESN7414` ElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 23A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	23A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14nC	1.5V	—	PDF →	—
`CSD16323Q3` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 21A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	25V	21A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.4nC	1.4V	150°C	Szukaj PDF →	—
`BSZ0502NSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 22A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	22A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`NVTFS4C05NTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 22A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	22A	3.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.5nC	1.32V	175°C	PDF →	—
`AON7502` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 21A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	30V	21A	4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	3V	150°C	PDF →	—
`BSZ0902NSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 21A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	21A	3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`NVTFS4C06NWFTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 21A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	21A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11.6nC	1.3V	175°C	PDF →	—
`NTTFS4939NTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 20.3A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20.3A	4.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.4nC	1.22V	150°C	PDF →	—
`NTTFS4939NTWG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 20.3A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20.3A	4.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.4nC	1.22V	150°C	PDF →	—
`AON3414-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.5V	175°C	PDF →	—
`AON7408-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.5V	175°C	PDF →	—
`BRCS120N03YB` Foshan Blue Rocket Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.8V	150°C	PDF →	—
`BSC0904NSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	20A	5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`BSZ0503NSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	20A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`CSD17309Q3` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20A	4.96mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1.3nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`CSD17578Q3AT` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20A	7.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22.2nC	1.9V	150°C	PDF →	—
`CSD17579Q3AT` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20A	10.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.9V	150°C	PDF →	—
`DMG7408SFG-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.5V	175°C	PDF →	—
`DOZ20N03` DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.3nC	5V	150°C	PDF →	—
`FDMC8884-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.5V	175°C	PDF →	—
`HY1303C` HUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	30A	5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.01V	150°C	PDF →	—
`ISC037N03L5ISATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	20A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`MSK30N03DF` MSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	30A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`SED3022M` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.2×3.2mm	30V	20A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	2.5V	175°C	PDF →	—
`SIS412DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.5V	175°C	PDF →	—
`SIS414DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.5V	175°C	PDF →	—
`TDM3408` Techcode Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20A	12.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	1.7V	150°C	PDF →	—
`AONX36322` Alpha & Omega Semiconductor Inc. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 21A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	21A	4.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	2.2V	150°C	Szukaj PDF →	—
`CSD17555Q5A` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 24A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	24A	2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	28nC	1.9V	150°C	PDF →	—
`AONR21321` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 24A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	30V	24A	16.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	34nC	2.3V	150°C	PDF →	—
`AP3908QD` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20A	34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`CSD85312Q3E` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	39A	10.312mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1.8nC	1.1V	150°C	PDF →	—
`40N02D` HL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	40A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.1V	150°C	PDF →	—
`WSD2050DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	40A	8.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.6V	150°C	PDF →	—
`ME7232S-G` MATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 21.7A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	21.7A	3.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33.2nC	1V	150°C	PDF →	—
`MOT4170J` MOT Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	45A	45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17.6nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`AONR21307` Alpha & Omega Semiconductor Inc. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 24A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (50nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	30V	24A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	2.3V	150°C	PDF →	—
`AON7380-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`AON7400A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`AONR36368-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`CSD16411Q3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`CSD17308Q3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`CSD17578Q3A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`CSD17579Q3A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`FDMC7680-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`FDMC8554` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.01V	150°C	PDF →	—
`HXY60N03DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`IRFH3702PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`IRFH3702TRPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`MOT2135J` MOT Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`MSK60N03DF` MSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`NTTFS4C25N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`NVTFS4C13N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`NVTFS4C25N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`RQ3E130MN-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`SE2060` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	0.5V	150°C	PDF →	—
`SI7114DN-T1-E3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`SM32314D1RL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`BSZ0901NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 22A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (45nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	22A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	45nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`BSC026N02KSG` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	20V	25A	2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`CEC3172` CET(Chino-Excel Tech) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	26A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1V	—	PDF →	—
`CSD17581Q5A` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 24A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (54nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	24A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	54nC	1.7V	155°C	PDF →	—
`BSC042N03LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (42nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	20A	4.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	42nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`DH060N03R-B26` WXDH Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	54A	45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25.7nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`BSC034N03LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 22A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (52nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	22A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	52nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`JSM2622` JSMSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	50A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	0.75V	150°C	PDF →	—
`AON7426-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`BSC150N03LD G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 6.2×5.2mm	30V	20A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`BSC037N08NS5-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	20V	85A	4.35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	4V	150°C	PDF →	—
`LN8342DT1AG` LRC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	40A	6.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32nC	1V	150°C	PDF →	—
`AON7544(XBLW)` XBLW Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	5.5mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`BSZ050N03LS G-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`BSZ0904NSI-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`CSD16340Q3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`CSD17577Q3A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`DMN3008SFG-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`DMN3009LFVW-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`FDMC8651-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`FDMC8854-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`HXY100N03DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`MDV1542-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`MSK100N03DF` MSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`NTMFS4C025N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`DMT2004UFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 24V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	24V	70A	3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	29.6nC	0.55V	150°C	PDF →	—
`AON7404` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (43nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	20V	20A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	43nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`NTS074N03P3H` NH Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	50A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1.11V	—	PDF →	—
`AON7404G` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (45nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	20V	20A	5.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	45nC	0.45V	150°C	PDF →	—
`AONR21357` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 21A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (70nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	30V	21A	7.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	70nC	2.3V	150°C	PDF →	Zobacz ofertę →
`BSC046N02KS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	20V	80A	4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27.6nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`BSC025N03MSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 23A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (98nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	23A	2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	98nC	2V	150°C	PDF →	—
`AONR21117` Alpha & Omega Semiconductor Inc. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (88nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3mm	20V	26.5A	4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	88nC	1.1V	150°C	PDF →	—
`TDM3512` Techcode Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (35nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	50A	4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	0.7V	150°C	PDF →	—
`FDMC7660` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 20A < 25A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (86nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	20A	2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	86nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`AP2080Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (99.2nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	30A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	99.2nC	0.6V	150°C	PDF →	—
`NP75N055YUK-E1-AY` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (55nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×5.4mm	20V	38A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	55nC	3V	—	PDF →	—
`NP75N04YUK-E1-AY` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (58nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×5.4mm	20V	38A	3.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	58nC	3V	—	PDF →	—
`SM95N03AD1RL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (36nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	20V	80A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`NP75N04YLG-E1-AY` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (77nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×5.4mm	20V	38A	3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	77nC	2V	—	PDF →	—
`TSG12N10AT` WUXI UNIGROUP MICRO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (50nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.8×5.3mm	20V	55A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	1.1V	150°C	PDF →	—
`TPN1R603PL,L1Q` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	80A	2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	7V	—	PDF →	—
`DMN2005UFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (68.8nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	50A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	68.8nC	0.7V	150°C	PDF →	—
`BSC026N02KSGAUMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (52.7nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	20V	100A	2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	52.7nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`AP2045Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (99.2nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3.1mm	20V	65A	4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	99.2nC	0.6V	150°C	PDF →	—
`BSC019N02KS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (85nC vs 23nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	20V	100A	1.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	85nC	1.2V	150°C	PDF →	—

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (5)

AON7262E: tj-max-too-low
AON7380: vds-too-low, tj-max-too-low
AONR66406: tj-max-too-low
BSC046N02KSGAUMA1: id-too-low
NTTFS4932NTWG: id-too-low