Zamienniki dla BSC050NE2LSATMA1

BSC050NE2LSATMA1 (Infineon Technologies)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: DFN-8
Wymiary: —

Brakuje danych: wymiary, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (164)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`BSC050NE2LSATMA1` Infineon Technologies ↓ Twoj uklad	N	DFN-8	25V	58A	7.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →
`CSD16340Q3` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	25V	60A	4.35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	0.6V	150°C	PDF →
`CSD16327Q3` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	25V	60A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.4nC	1.4V	150°C	PDF →
`BSC026NE2LS5` BSC026NE2LS5 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	25V	66A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.21V	150°C	PDF →
`PK618BA` NIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6.1×5.2mm	30V	59A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.75V	150°C	PDF →
`CSD17577Q5A` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	60A	3.54mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.5nC	1.4V	150°C	PDF →
`DMT3006LFV-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	5.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.4nC	1V	150°C	PDF →
`FDMC2514SDC-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5.6V	150°C	PDF →
`SM6362D1RL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6.1×5.2mm	30V	60A	9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.1nC	1.11V	132°C	PDF →
`PK650BA` NIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6.1×5.2mm	30V	70A	3.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.7V	150°C	PDF →
`CSD17307Q5A` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	73A	9.712mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	0.65nC	1.3V	150°C	PDF →
`CSD16404Q5A` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	25V	81A	4.15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1.5nC	1.8V	150°C	PDF →
`SM6796D1RL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6.1×5.2mm	30V	70A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.5nC	2V	150°C	PDF →
`BSC032NE2LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	84A	4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →
`BSC0904NSI` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	78A	5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →
`PK632BA` NIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.8×4.9mm	30V	78A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.9V	150°C	PDF →
`AON7422E-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`CSD17304Q3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`HXY80N03DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`IRFHM8329PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`NTTFS4821N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`NTTFS4928N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`NTTFS4C10N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`NVTFS4C10N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`SED3080M` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 4.56V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	4.56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	4.56V	175°C	PDF →
`SED3081M` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	5.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	5V	175°C	PDF →
`SIS402DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`BSZ058N03LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	71A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	1V	150°C	PDF →
`CSD17302Q5A` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 4.9×5.7mm	30V	87A	7.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	0.9nC	1.2V	150°C	PDF →
`BSC009NE2LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	100A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1V	150°C	PDF →
`BSC018NE2LS` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	25V	100A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →
`BSC024NE2LS` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	25V	100A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →
`CSD16321Q5` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.2×6.2mm	25V	100A	2.83mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.1nC	1.1V	150°C	PDF →
`BSC010NE2LSI` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	25V	100A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →
`BSC014NE2LSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	100A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →
`BSC018NE2LSI` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	25V	100A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →
`BSC011N03LSI` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	100A	1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	—	PDF →
`BSC011N03LST` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.9×5.2mm	30V	100A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	175°C	PDF →
`BSZ0502NSI` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	100A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	2V	150°C	Szukaj PDF →
`BSC0502NSI` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	110A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	2V	150°C	PDF →
`AON7522` Alpha & Omega Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	1.5V	150°C	PDF →
`NTTFSC4937NTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15.7nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	75A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15.7nC	1.6V	150°C	PDF →
`DMN3009LFVW-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1V	150°C	PDF →
`DMN3009LFVWQ-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1V	150°C	PDF →
`WSD3060DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.8V	—	PDF →
`S60N03D` HL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	62A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2V	—	PDF →
`BSC886N03LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	30V	65A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →
`ISC026N03L5S` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.1×5.9mm	30V	100A	2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	2V	150°C	Szukaj PDF →
`AP045N03M` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3.2mm	30V	75A	6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2.5V	—	PDF →
`G48N03D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	75A	75mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.11V	—	PDF →
`TSM060N03PQ33 RGG` Taiwan Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25.4nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	62A	4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25.4nC	1.6V	150°C	PDF →
`TPN1R203PL` Toshiba Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (35nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	65A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	1.6V	150°C	PDF →
`DMT35M7LFV-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (21nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	76A	3.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	21nC	1V	150°C	PDF →
`AON7418-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	5.5V	150°C	PDF →
`MOT3150J` MOT Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (38.4nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	65A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	38.4nC	2.5V	150°C	PDF →
`CSD17501Q5A` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (17nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	100A	2.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17nC	1.8V	150°C	PDF →
`DMN3008SFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (41nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	62A	3.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	41nC	1V	150°C	PDF →
`AP30H80Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (33.7nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	70A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33.7nC	1.5V	150°C	PDF →
`NP60N03QR` NATLINEAR Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (42.3nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	42.3nC	1.6V	150°C	PDF →
`RU3091M` Shenzhen ruichips Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.8×4.9mm	30V	90A	3.44mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2.5V	150°C	PDF →
`ME7114S-G` MATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (37nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	71A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	37nC	1V	150°C	PDF →
`CSD17581Q3AT` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (54nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3.2mm	30V	60A	3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	54nC	1.7V	150°C	PDF →
`BSC016N03LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 5×6mm	30V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`BSC025N03MS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 5×6mm	30V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`BSC030N03MS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 5×6mm	30V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`AP30H150Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	105A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`BSC0902NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	2.2V	150°C	PDF →
`NCEP3090GU` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (34.8nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 4.9×5.8mm	30V	90A	3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	34.8nC	1.5V	150°C	PDF →
`SM95N03AD1RL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (36nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 4.9×5.7mm	30V	95A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	1.01V	150°C	PDF →
`DMT32M5LFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (34nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	100A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	34nC	1.4V	150°C	PDF →
`DMT32M5LPSW-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (34nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	100A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	34nC	1V	150°C	PDF →
`ISC011N03L5S` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (36nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.2×6.2mm	30V	100A	0.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	2V	150°C	Szukaj PDF →
`DMTH3002LPS-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (37nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	100A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	37nC	1V	175°C	PDF →
`BSC010NE2LSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (59nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	100A	1.05mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	59nC	2V	—	PDF →
`AP90N03Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	90A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	1.5V	150°C	PDF →
`BSC030N03LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (55nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	55nC	1V	150°C	PDF →
`IRFH8303TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (58nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	58nC	1.7V	150°C	PDF →
`BSC011N03LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (72nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	100A	1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	72nC	2.2V	175°C	PDF →
`BSC030N03MSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (73nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	73nC	2V	150°C	PDF →
`BSC020N03LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (93nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	100A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	93nC	1V	150°C	PDF →
`BSC020N03MSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (124nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	124nC	1V	150°C	PDF →
`BSC014N03LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (131nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	131nC	2.2V	150°C	PDF →
`ME7170-G` MATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (102nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6.1×5.2mm	30V	110A	2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	102nC	1V	150°C	PDF →
`BSC009NE2LS5I` BSC009NE2LS5I Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	25V	—	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.21V	—	PDF →
`BSC052N03LS` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 57A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	57A	7.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	—	PDF →
`CSD17304Q3` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 56A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	56A	6.98mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	0.9nC	1.3V	150°C	PDF →
`SM6536D1RL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 55A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6.1×5.2mm	30V	55A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	1.31V	150°C	PDF →
`PK6B2BA` NIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 52A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6.1×5.2mm	30V	52A	5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.6V	150°C	PDF →
`AON7380-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`AON7400A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`AONR36368-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`CSD16411Q3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`CSD17308Q3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`CSD17578Q3A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`CSD17579Q3A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`FDMC7680-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`FDMC8554` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.01V	150°C	PDF →
`HXY60N03DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`IRFH3702PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`IRFH3702TRPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`MSK60N03DF` MSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`NTTFS4C25N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`NVTFS4C13N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`NVTFS4C25N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`RQ3E130MN-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`SE2060` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	0.5V	150°C	PDF →
`SI7114DN-T1-E3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`SM32314D1RL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`AON7422L-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5.6V	150°C	PDF →
`AON7506-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	175°C	PDF →
`CSD17307Q5A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	50A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.9nC	2.5V	150°C	PDF →
`DMG7430LFG-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	175°C	PDF →
`HXY50N03DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	175°C	PDF →
`IRFH3702TRPBF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5.6V	150°C	PDF →
`NTTFS4929N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	2000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1.2V	175°C	PDF →
`SISA96DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	2000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1.2V	175°C	PDF →
`SM6536D1RL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	30V	50A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.9nC	2.5V	150°C	PDF →
`WSD3050DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	6.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.8V	—	PDF →
`AON7426-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`BSC037N08NS5-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	20V	85A	4.35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	4V	150°C	PDF →
`TSM085N03PQ33 RGG` Taiwan Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 52A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	52A	6.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.3nC	1.6V	150°C	PDF →
`MOT2135J` MOT Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.5V	150°C	PDF →
`AON7544(XBLW)` XBLW Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	5.5mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`BSZ050N03LS G-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`BSZ0904NSI-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`CSD16340Q3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`CSD17577Q3A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`DMN3008SFG-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`DMN3009LFVW-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`FDMC8651-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`FDMC8854-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`HXY100N03DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`MDV1542-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`MSK100N03DF` MSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NTMFS4C025N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NTTFS4824N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NTTFS4937N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NTTFS4939N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NTTFS4C06N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NVTFS4C06N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`AON7442` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	1.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.21V	150°C	PDF →
`PK616BA` NIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.8×4.9mm	30V	50A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2V	—	PDF →
`VBZQF50N03` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	4500mΩ Vgs=10V, temperatura nieznana	20nC	5.6V	150°C	PDF →
`DOZ50N03` DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (21nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	21nC	5V	150°C	PDF →
`BSC090N03LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) UWAGA: Id 47A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 5×6mm	30V	47A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`AGM303AP` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 55A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	55A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	6V	150°C	PDF →
`DMT2004UFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 24V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (29.6nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	24V	70A	3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	29.6nC	0.55V	150°C	PDF →
`TPN1R603PL,L1Q` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	80A	2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	7V	—	PDF →
`WSD3066DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27.5nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27.5nC	1.8V	150°C	PDF →
`DH060N03R-B26` WXDH Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 54A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25.7nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	54A	45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25.7nC	1.5V	150°C	PDF →
`AONR21357-ES` ElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (35nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	1V	150°C	PDF →
`JSM2622` JSMSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	50A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	0.75V	150°C	PDF →
`HYG032N03LR1C1` HUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 55A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (61nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	55A	3.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	61nC	1.8V	175°C	PDF →
`NTS074N03P3H` NH Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	50A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1.11V	—	PDF →
`BSC046N02KS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27.6nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	20V	80A	4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27.6nC	1.2V	150°C	PDF →
`SKQ50N03BD` Shikues Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (52.8nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	4.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	52.8nC	1.5V	175°C	PDF →
`TDM3512` Techcode Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (35nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	50A	4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	0.7V	150°C	PDF →
`TSG12N10AT` WUXI UNIGROUP MICRO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 55A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (50nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.8×5.3mm	20V	55A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	1.1V	150°C	PDF →
`SM95N03AD1RL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (36nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	20V	80A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	1.2V	150°C	PDF →
`AP2045Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (99.2nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3×3.1mm	20V	65A	4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	99.2nC	0.6V	150°C	PDF →
`AONR32318` Alpha & Omega Semiconductor Inc. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (150nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	150nC	2.2V	150°C	PDF →
`DMN2005UFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 50A < 58A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (68.8nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	50A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	68.8nC	0.7V	150°C	PDF →
`BSC026N02KSGAUMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (52.7nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	20V	100A	2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	52.7nC	1.2V	150°C	PDF →
`KCY3104S` KIA Semicon Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (45nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6.1×5.2mm	20V	110A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	45nC	1.2V	150°C	PDF →
`BSC019N02KS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (85nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	20V	100A	1.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	85nC	1.2V	150°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (2)

AON6262E: different-package, id-too-low, tj-max-too-low
CSD16403Q5A: id-too-low