Zamienniki dla IXTY01N100

IXTY01N100 (Tokmas)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: TO-252
Wymiary: 6.5 × 6.1 × 2.3 mm

Brakuje danych: Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (89)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`IXTY01N100` Tokmas ↓ Twoj uklad	N	TO-252 6.5×6.1mm	1000V	0.1A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.9nC	4.5V	150°C	PDF →
`IXTY01N100-TRL` Littelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji Brak danych: Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	1000V	0.1A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.9nC	2V	150°C	PDF →
`IXTY02N120P-TRL` Littelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	1200V	0.2A	1000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.7nC	2V	150°C	PDF →
`STD2NK100Z` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	1000V	1.85A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3nC	5V	150°C	PDF →
`STD3NK100Z` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	1000V	2.5A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.6nC	5V	150°C	PDF →
`IXTY08N100P-TRL` Littelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11.3nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	1000V	0.8A	3000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11.3nC	2V	150°C	PDF →
`IRLR3110ZTRLPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	1216V	63A	100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1V	175°C	PDF →
`IRLR3110ZTRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	1216V	63A	100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1V	175°C	PDF →
`IRLR3110ZTRRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	1216V	42A	100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1V	175°C	PDF →
`IXTY1N100P-TRL` Littelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15.5nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	1000V	1A	5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`IXTY1R4N120P` Littelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	1200V	1.4A	5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2.5V	150°C	PDF →
`FQD2N100TM` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15.5nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	1000V	1.6A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15.5nC	5V	150°C	PDF →
`IXTY1N120PTRL` Littelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (17.6nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	1200V	1A	5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17.6nC	2.5V	150°C	PDF →
`IXTY1R4N120P-TRL` Littelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (24.8nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	1200V	1.4A	5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	24.8nC	2.5V	150°C	PDF →
`AOD780A70` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11.5nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	—	700mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11.5nC	2.93V	—	PDF →
`FQD1N80TM` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	0.5A	2000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.57nC	3V	150°C	PDF →
`STD3NK90ZT4` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 900V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	900V	3A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.2nC	5V	150°C	PDF →
`STD4N90K5` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 900V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	900V	3A	1900mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3nC	4V	150°C	PDF →
`FQD2N80TM` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	0.9A	1800mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.6nC	3V	150°C	PDF →
`STD1NK80ZT4` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	1A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1.4nC	5V	150°C	PDF →
`IPD80R4K5P7ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	1.5A	4500mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4nC	3.5V	150°C	PDF →
`IXFY4N85X` Littelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 850V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	850V	3.5A	2500mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7nC	3V	150°C	PDF →
`IPD80R3K3P7` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	1.9A	3300mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	3V	150°C	PDF →
`R8001CND3FRATL` ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	1A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.2nC	3.5V	150°C	PDF →
`STD4LN80K5` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	3A	2100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.7nC	4V	150°C	PDF →
`STD4NK80ZT4` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	3A	3500mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.2nC	5V	150°C	PDF →
`STD7LN80K5` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	5A	950mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5nC	4V	150°C	PDF →
`STD80N450K6-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	2V	—	PDF →
`AOD450A70` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.433V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	—	405mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	2.433V	—	PDF →
`R8002KND3TL1` ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	1.6A	4200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.5nC	2.53V	150°C	PDF →
`FCD3400N80Z` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	2A	2750mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.49nC	2.5V	150°C	PDF →
`IPD80R2K4P7ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	2.5A	2400mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.5nC	3.5V	150°C	PDF →
`OSG80R1K4DF` ORIENTAL SEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	4A	1100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.5nC	4V	150°C	Szukaj PDF →
`STD10LN80K5` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	8A	550mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	4V	150°C	PDF →
`STD3N95K5AG` STD3N95K5AG Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 950V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	950V	2A	5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5V	150°C	PDF →
`IXTY1N80P-TRL` Littelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	1A	3000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	2V	150°C	PDF →
`IPD95R2K0P7ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 950V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	950V	4A	3824mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	3V	150°C	PDF →
`STD2NK90ZT4` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 900V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	900V	2.1A	5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5V	150°C	PDF →
`IPD80R2K0P7ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	3A	4400mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	3V	150°C	PDF →
`STD3N80K5` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	2.5A	2800mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	4V	150°C	PDF →
`STD3NK80ZT4` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	2.5A	3800mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	3.75V	150°C	PDF →
`AOD3N80` AOD3N80 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	2.8A	4800mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	3.34V	—	PDF →
`IPD80R1K4P7` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	4A	3100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	3V	150°C	PDF →
`IPD80R1K4P7ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	4A	3100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	3V	150°C	PDF →
`FCD850N80Z` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	6A	710mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.5V	150°C	PDF →
`STD7N80K5` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	6A	950mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	4V	150°C	PDF →
`4N80L-TN3-R-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	100A	2380mΩ Vgs=0V, 125°C	9.8nC	2V	—	PDF →
`SIHD2N80E-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	100A	2750mΩ Vgs=0V, 125°C	9.819nC	2V	150°C	PDF →
`STD7NM80` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	6.5A	950mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5V	150°C	PDF →
`STD5N95K5` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 950V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12.5nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	950V	3.5A	2000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.5nC	4V	150°C	PDF →
`IPD80R1K2P7` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	4.5A	1000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	3V	150°C	Szukaj PDF →
`FQD2N90TF` FQD2N90TF Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 900V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	TO-252 6.5×6.1mm	900V	2A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`IPD80R2K8CEATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	1.9A	2800mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	3.9V	150°C	PDF →
`R8002CND3FRATL` ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12.1nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	2A	3300mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.1nC	3.5V	150°C	PDF →
`IPD95R1K2P7` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 950V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	950V	6A	2291mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	3V	150°C	PDF →
`IPD95R1K2P7ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 950V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	950V	6A	2291mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	3V	150°C	PDF →
`FQD2N90TM` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 900V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	900V	1.7A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	5V	150°C	PDF →
`TPD80R900M` WUXI UNIGROUP MICRO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 850V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	850V	6A	5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	2.5V	150°C	PDF →
`IPD80R900P7` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	6A	1990mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	3V	150°C	PDF →
`IPD80R900P7ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	6A	1990mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	3V	150°C	PDF →
`STD9N80K5` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	7A	900mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	—	—	PDF →
`AOD600A70` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15.5nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	8.5A	510mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15.5nC	2.93V	150°C	PDF →
`AOD600A70R` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15.5nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	8.5A	530mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15.5nC	3.444V	150°C	PDF →
`IPD95R750P7` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 950V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (23nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	950V	9A	1429mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23nC	3V	150°C	PDF →
`IPD95R750P7ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 950V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (23nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	950V	9A	1429mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23nC	3V	150°C	PDF →
`IPD80R750P7` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (17nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	7A	1660mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17nC	3V	150°C	PDF →
`SIHD5N80AE-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16.5nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	100A	1350mΩ Vgs=0V, 125°C	16.5nC	2V	150°C	PDF →
`4N80L-TN3-R` UTC(Unisonic Tech) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (19nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	4A	3000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	19nC	3V	150°C	PDF →
`IPD80R600P7` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	8A	1330mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	3V	150°C	PDF →
`IPD95R450P7ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 950V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (35nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	950V	14A	848mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	3V	150°C	PDF →
`IPD80R1K4CEATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (23nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	3.9A	3200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23nC	3V	150°C	PDF →
`AOD360A70` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22.5nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	12A	316mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22.5nC	3.444V	150°C	PDF →
`SIHD6N80AE-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22.5nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	100A	950mΩ Vgs=0V, 125°C	22.5nC	2V	150°C	PDF →
`IPD80R450P7` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (24nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	11A	990mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	24nC	3V	—	PDF →
`IPD80R450P7ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (24nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	11A	990mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	24nC	3V	150°C	PDF →
`IPD80R1K0CE` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (31nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	5.7A	2200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	31nC	3V	150°C	PDF →
`IPD80R1K0CEATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (31nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	5.7A	2200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	31nC	3V	150°C	PDF →
`IPD80R360P7` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	13A	800mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	3V	150°C	PDF →
`STD2N105K5` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (840nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	1050V	1.5A	5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	840nC	5V	150°C	PDF →
`SIHD4N80E-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (32nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32nC	2V	150°C	PDF →
`STD4NK100Z` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (800nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	1000V	2.2A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	800nC	5V	150°C	PDF →
`IPD80R280P7` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (36nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	17A	620mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	3V	150°C	PDF →
`IRLR3915TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (92nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	1214V	30A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	92nC	1V	175°C	PDF →
`SIHD11N80AE-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (42nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	100A	450mΩ Vgs=0V, 125°C	42nC	2V	150°C	PDF →
`SIHD6N80E-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (44nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	100A	940mΩ Vgs=0V, 125°C	44nC	2V	150°C	PDF →
`STD5N95K3` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 950V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (760nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	950V	4A	3000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	760nC	5V	150°C	PDF →
`STD7NM80-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (200nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	5A	1200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	200nC	2V	150°C	PDF →
`STD4N80K5` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (640nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	3A	5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	640nC	4V	150°C	PDF →
`CS4N80A4HD-G` Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (640nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	4A	2200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	640nC	2V	150°C	PDF →
`STD6N80K5` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 800V < 1000V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (640nC vs 6.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	800V	4.5A	5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	640nC	5V	150°C	PDF →