NTMFD4C50NT1Gonsemi ↓ Twoj uklad | N | DFN-5x6 5.2×6.2mm | 30V | 12A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | 1V | — | Szukaj PDF → | — |
AO6414AAlpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 13A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 1.7V | 150°C | Szukaj PDF → | Zobacz ofertę → |
QM3058M6UBIQ Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 140A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.5V | 150°C | PDF → | Zobacz ofertę → |
NTMFS4C908NAT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (8.4nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 25.3A | 4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.4nC | 1.32V | 150°C | PDF → | — |
CSD17553Q5ATexas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (21.5nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 5.2×6.2mm | 30V | 23.5A | 3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 21.5nC | 1.9V | 150°C | PDF → | — |
QM3052M6UBIQ Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (7.4nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 62A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.4nC | 1.5V | 150°C | PDF → | — |
NVMFS5C460NLAFT1G-YEonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (23nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 40V | 21A | 4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 23nC | 2V | 175°C | PDF → | — |
AON6510Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-5x6) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (42nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 28A | 4.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 42nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C922NAT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45.2nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 30A | 1.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45.2nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
QM3054M6UBIQ Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (11.5nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 97A | 4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.5nC | 1.5V | 150°C | PDF → | — |
QN3109M6NUBIQ Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (10nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 154A | 1.35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.2V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C10NT1G-001onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-5x6) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (18.6nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 46A | 6.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18.6nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS5C442NLT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 5.1×6.1mm | 40V | 27A | 2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 2V | 175°C | PDF → | — |
PK5C8EANIKO-SEM Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Id
| N | DFN-5x6 | 30V | — | 2.4mΩ Vgs=10V, 100°C | — | 2V | — | PDF → | — |
PK6D0BANIKO-SEM Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Id
| N | DFN-5x6 | 30V | — | 10.5mΩ Vgs=4.5V, temperatura nieznana | — | 1V | — | PDF → | — |
SM4513NHKPC-TRGSinopower Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (36.5nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Id
| N | DFN-5x6 | 30V | — | 2.7mΩ Vgs=10V, 125°C | 36.5nC | 1.5V | — | PDF → | — |
SM4500NHKPSinopower Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (76nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | — | 1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 76nC | 1.6V | — | PDF → | — |
IRFH7440TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-5x6) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (138nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 32V | 159A | 1.82mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 138nC | 2.2V | 125°C | PDF → | — |