NTMFS4C029NT3Gonsemi ↓ Twoj uklad | N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18.6nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C027NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 16.4A | 4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18.2nC | 2.1V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C028NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 16.4A | 4.73mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22.2nC | 2.1V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C908NAT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 25.3A | 4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.4nC | 1.32V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C025NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 3.41mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26nC | 2.1V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C06NBT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26nC | 2.1V | 150°C | Szukaj PDF → | — |
NTMFS4985NFT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30.5nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 17.5A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30.5nC | 2.3V | 150°C | PDF → | — |
NVMFS5C460NLAFT1G-YEonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 40V | 21A | 4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 23nC | 2V | 175°C | PDF → | — |
QM3052M6UBIQ Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 62A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.4nC | 1.5V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C324NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 1.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.8nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C10NT1G-001onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-5x6) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 46A | 6.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18.6nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C024NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 21.7A | 2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C024NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 21.7A | 2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
QM3054M6UBIQ Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 97A | 4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.5nC | 1.5V | 150°C | PDF → | — |
QN3109M6NUBIQ Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 154A | 1.35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.2V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS5H400NLT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 40V | 46A | 0.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 2V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4852NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (71.3nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 71.3nC | 2.5V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4852NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (71.3nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 71.3nC | 2.5V | 150°C | PDF → | — |
AON6552Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-5x6) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- oryginal to logic-level (Vgs(th) 2.2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 30A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → | — |
NTMFS5C442NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.2V vs 4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (32nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 40V | 29A | 2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32nC | 4V | 175°C | PDF → | — |
AON6510Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-5x6) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (42nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 28A | 4.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 42nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C03NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45.2nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45.2nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C922NAT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45.2nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 30A | 1.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45.2nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
QM3058M6UBIQ Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 140A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.5V | 150°C | PDF → | Zobacz ofertę → |
NTMFS5C442NLTT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 40V | 28A | 2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 2V | 175°C | PDF → | — |
NTMFS4982NFT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (84nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 26.5A | 1.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 84nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C302NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (82nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 41A | 1.15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 82nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4983NFT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (47.9nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 160A | 2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 47.9nC | 2.3V | 150°C | PDF → | Zobacz ofertę → |
NTMFS4983NFT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (47.9nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 160A | 2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 47.9nC | 2.3V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS5C426NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.2V vs 3.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (65nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 40V | 41A | 1.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 65nC | 3.5V | 175°C | PDF → | — |
NTMFS0D9N03CGT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (131.4nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 48A | 0.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 131.4nC | 2.2V | 175°C | PDF → | — |
NTMFS5C410NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.2V vs 3.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (86nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 40V | 46A | 0.92mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 86nC | 3.5V | 175°C | PDF → | — |
NTMFS4C032NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 13A < 15A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 7.35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15.2nC | 2.1V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C35NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 12.4A < 15A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 12.4A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C35NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 12.4A < 15A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 12.4A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
SM4513NHKPC-TRGSinopower Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- Qg wyzsze (36.5nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Id
| N | DFN-5x6 | 30V | — | 2.7mΩ Vgs=10V, 125°C | 36.5nC | 1.5V | — | PDF → | — |
PK5C8EANIKO-SEM Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Id
| N | DFN-5x6 | 30V | — | 2.4mΩ Vgs=10V, 100°C | — | 2V | — | PDF → | — |
PK6D0BANIKO-SEM Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Id
| N | DFN-5x6 | 30V | — | 10.5mΩ Vgs=4.5V, temperatura nieznana | — | 1V | — | PDF → | — |
AO6414AAlpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 13A < 15A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | 13A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 1.7V | 150°C | Szukaj PDF → | Zobacz ofertę → |
SM4500NHKPSinopower Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (76nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 30V | — | 1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 76nC | 1.6V | — | PDF → | — |
NTMFS4946NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 12.7A < 15A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (53nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 4.9×3.9mm | 30V | 12.7A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 53nC | 2.5V | 150°C | PDF → | — |
IRFH7440TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-5x6) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-5x6) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (138nC vs 18.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | DFN-5x6 | 32V | 159A | 1.82mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 138nC | 2.2V | 125°C | PDF → | — |