Zamienniki dla SI7980DP-T1-GE3

SI7980DP-T1-GE3 (Vishay Siliconix)

Typ ukladu: Dual MOSFET (2× N-channel)
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (20)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SI7980DP-T1-GE3` Vishay Siliconix ↓ Twoj uklad	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	120V	8A	26mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	1V	150°C	PDF →
`SQJ204EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	1212V	20A	8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	5V	175°C	PDF →
`SI7946ADP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7.7A < 8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	150V	7.7A	186mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.5nC	6V	150°C	PDF →
`SQJ200EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem UWAGA: Vds 111.52V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	111.52V	—	7.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	—	175°C	PDF →
`FDS89161LZ-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	8A	112mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1V	—	PDF →
`AO4884&40V-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	10A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	6V	150°C	PDF →
`SI7252ADP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 7.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	9.3A	18.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26.5nC	7.4V	150°C	PDF →
`SQJB68EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	—	76.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.78nC	1.52V	—	PDF →
`SQJB68EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	11A	92mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	2.5V	175°C	PDF →
`TPC8223-H-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	11A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	6V	150°C	PDF →
`WSP11N10T` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	12A	70mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	8V	150°C	PDF →
`AO4882-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	12A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	6V	150°C	PDF →
`DTM4926-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	12A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	6V	150°C	PDF →
`DMC3025LSD-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	4.1V	150°C	PDF →
`AO4832-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	13.5A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	6V	150°C	PDF →
`HAT2092RJ-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	13.5A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	6V	150°C	PDF →
`SQJB70EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (10) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (47nC vs 27nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	—	78mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	47nC	2.53V	—	PDF →
`SI7252DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	36.7A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	5.7V	150°C	PDF →
`SQJ974EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	30A	25.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ990EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	34A	40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ202EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	1212V	—	5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	—	—	PDF →