Zamienniki dla SM4803APRL

SM4803APRL (SPS)

Typ ukladu: Dual MOSFET (2× P-channel)
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (19)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SM4803APRL` SPS ↓ Twoj uklad	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	5A	51.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.3nC	1.9V	177°C	PDF →
`SQ4937EY-T1_BE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.9nC vs 2.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	5A	3900mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.9nC	2V	175°C	PDF →
`SQ4937EY-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.9nC vs 2.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	5A	75mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.9nC	2V	175°C	PDF →
`MEM2313SG` MICRONE(Nanjing Micro One Elec) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.3V	—	PDF →
`FDS6875-NL-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.9V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7.3A	29mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`HXY4953S` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 2.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	5.3A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.6V	—	PDF →
`HS1195` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	—	PDF →
`PTS4803` PUOLOP Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 2.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	5.8A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	0.9V	175°C	PDF →
`FDS4935` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 2.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7A	35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.6V	175°C	PDF →
`FDS4935A` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 2.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7A	35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.6V	175°C	PDF →
`G120P03S2` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	16A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.6V	—	PDF →
`HXY4805S` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 2.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	1.6V	—	PDF →
`SH8JB5TB1` ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (51nC vs 2.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	8.5A	15.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	51nC	2.5V	—	Szukaj PDF →
`SQJ951EP-T1_BE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 2.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	30A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	2V	175°C	PDF →
`SQJ951EP-T1_GE3` SQJ951EP-T1_GE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 2.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	30A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	2V	175°C	PDF →
`SH8JC5TB1` ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (50nC vs 2.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7.5A	32mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	2.5V	—	Szukaj PDF →
`SQ4961EY-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 4.4A < 5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.3nC vs 2.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	4.4A	85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.3nC	2V	175°C	PDF →
`SQJ963EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.3nC vs 2.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	—	3500mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.3nC	2V	—	PDF →
`SQ4917EY-T1_BE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (43.465nC vs 2.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	8A	48mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	43.465nC	2V	175°C	PDF →
`SQ4917EY-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (43.465nC vs 2.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	8A	48mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	43.465nC	2V	175°C	PDF →