SI4435D (Vishay Siliconix)
Identyfikacja
- Typ ukladu
- MOSFET
- Obudowa
- SO-8
- Wymiary (L x W x H)
- 4.9 x 3.9 x 1.5 mm
Raport jakosci danych
Kompletnosc: 0% (0/3 krytycznych pol)| Pole | Wartosc | Warunki pomiaru | Status |
|---|---|---|---|
| Vds (napiecie przebicia) | — | — | BRAK |
| Id (prad ciagly) | — | — | BRAK |
| Rds(on) | — | — | BRAK |
| Vgs(th) (prog wlaczenia) | — | — | brak (opcjonalne) |
| Qg (calkowity ladunek bramki) | — | — | brak (opcjonalne) |
| Tj max (max. temp. zlacza) | — | — | brak (opcjonalne) |
Przed lutowaniem zweryfikuj parametry w datasheet.
Parametry elektryczne
Brak parametrow elektrycznych w bazie.
Mapa pinow
| Pin | Funkcja | Typ |
|---|---|---|
1 | S | power |
2 | S | power |
3 | S | power |
4 | G | signal |
5 | D | power |
6 | D | power |
7 | D | power |
8 | D | power |
Uwagi do danych
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.
- Wymaga dodatkowej weryfikacji.