ChipChecker

SQJB60EP-T2_GE3 (Vishay Siliconix)

Identyfikacja

Typ ukladu
MOSFET
Obudowa
SO-8
Wymiary (L x W x H)
4.9 x 3.9 x 1.5 mm

Pobierz datasheet ↗

Raport jakosci danych

Kompletnosc: 100% (3/3 krytycznych pol)
PoleWartoscWarunki pomiaruStatus
Vds (napiecie przebicia)60warunki nieznanebez warunkow
Id (prad ciagly)30warunki nieznanebez warunkow
Rds(on)12warunki nieznanebez warunkow
Vgs(th) (prog wlaczenia)2.5warunki nieznanebez warunkow
Qg (calkowity ladunek bramki)30warunki nieznanebez warunkow
Tj max (max. temp. zlacza)175warunki nieznanebez warunkow

Dane zostaly uzupelnione automatycznie - przed lutowaniem zweryfikuj je w datasheet.

Parametry elektryczne

Lista parametrow elektrycznych ukladu
ParametrWartosc
id_a30
pd_w48
qg_nc30
rds_on_mohm12
tj_max_c175
vds_v60
vgs_th_v2.5

Parametry podane przez dostawców

Wartości źródłowe zachowują oryginalne nazwy i zapis dostawcy. Sprawdź warunki pomiaru w karcie katalogowej przed doborem części.

Dane katalogowe z zachowaniem źródła
ParametrWartość dostawcyŹródło
Configuration2 N-Channel (Dual)digikey
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)digikey
Drain to Source Voltage (Vdss)60Vdigikey
FET Feature-digikey
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10Vdigikey
GradeAutomotivedigikey
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 25Vdigikey
Mounting TypeSurface Mountdigikey
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)digikey
Package / CasePowerPAK® SO-8 Dualdigikey
Power - Max48W (Tc)digikey
QualificationAEC-Q101digikey
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 10A, 10Vdigikey
Supplier Device PackagePowerPAK® SO-8 Dualdigikey
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)digikey
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µAdigikey
OpakowanieReelmouser
Standardowa ilość w opak.3000mouser

Mapa pinow

Brak mapy pinow w bazie.

Uwagi do danych

  • Dane uzupelnione automatycznie - sprawdz parametry w datasheet.
  • Wymaga dodatkowej weryfikacji.
  • Wymaga dodatkowej weryfikacji.

← Wroc do listy zamiennikow