Zamienniki dla SQJB60EP-T2_GE3

SQJB60EP-T2_GE3 (Vishay Siliconix)auto

Typ ukladu: Dual MOSFET (2× N-channel)
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (15)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SQJB60EP-T2_GE3` Vishay Siliconix ↓ Twoj uklad	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	30A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJB60EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	30A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJB60EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	30A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJB90EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	30A	21.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	3.5V	175°C	PDF →
`SQJB00EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	30A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	3.5V	175°C	PDF →
`SQJB00EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	30A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	3.5V	175°C	PDF →
`SQJB80EP-T1_BE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	30A	19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32nC	1.52V	175°C	PDF →
`SQJB80EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	30A	19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ974EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	30A	25.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ990EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	34A	40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SI7252DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 5.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	36.7A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	5.7V	150°C	PDF →
`AGM614MN` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	68A	14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3nC	1.6V	150°C	PDF →
`SQJB68EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	—	76.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.78nC	1.52V	—	PDF →
`SQJ200EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in oryginal to logic-level (Vgs(th) 2.5V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	111.52V	—	7.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	—	175°C	PDF →
`SQJB70EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (47nC vs 30nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	—	78mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	47nC	2.53V	—	PDF →
`SQJ202EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in oryginal to logic-level (Vgs(th) 2.5V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	1212V	—	5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	—	—	PDF →