Zamienniki dla CSD88537ND

CSD88537ND (Texas Instruments)auto

Typ ukladu: Dual MOSFET (2× N-channel)
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (31)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`CSD88537ND` Texas Instruments ↓ Twoj uklad	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	16A	12.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.4nC	3V	150°C	PDF →
`DMNH6042SSDQ-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	16.7A	34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.2nC	1V	175°C	PDF →
`AGM614MN` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	68A	14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3nC	1.6V	150°C	PDF →
`SQJ204EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	1212V	20A	8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	5V	175°C	PDF →
`SQJ980AEP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (21nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	75V	17A	50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	21nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ958EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (23nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	20A	34.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ968EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18.5nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	23.5A	33.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18.5nC	2.5V	175°C	PDF →
`DMNH6022SSD-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (32nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	22.6A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32nC	1V	175°C	PDF →
`SQJ952EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	23A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ952EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	23A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ956EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	23A	26.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJB60EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	30A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJB60EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	30A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJB60EP-T2_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	30A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJB00EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (35nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	30A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	3.5V	175°C	PDF →
`SQJB00EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (35nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	30A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	3.5V	175°C	PDF →
`SQJB90EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	30A	21.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	3.5V	175°C	PDF →
`SQJB80EP-T1_BE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (32nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	30A	19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32nC	1.52V	175°C	PDF →
`SQJB80EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (32nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	30A	19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32nC	2.5V	175°C	PDF →
`CSD88537NDT` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 15A < 16A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	15A	12.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.4nC	3V	150°C	PDF →
`SM4828APRL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 15A < 16A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	15A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.15nC	5V	184°C	PDF →
`SQJ262EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 15A < 16A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	15A	35.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ200EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	111.52V	—	7.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	—	175°C	PDF →
`IRF7351PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 15A < 16A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	15A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	2V	—	PDF →
`AO4832-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem UWAGA: Id 13.5A < 16A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	13.5A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	6V	150°C	PDF →
`HAT2092RJ-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem UWAGA: Id 13.5A < 16A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	13.5A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	6V	150°C	PDF →
`SQJB68EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	—	76.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.78nC	1.52V	—	PDF →
`SQJ202EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	1212V	—	5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	—	—	PDF →
`SQJB70EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (47nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	—	78mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	47nC	2.53V	—	PDF →
`SQJ974EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	30A	25.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ990EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	34A	40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SI7252DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27nC vs 3.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	36.7A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	5.7V	150°C	PDF →