Zamienniki dla SM4842PRL

SM4842PRL (SPS)

Typ ukladu: Dual MOSFET (2× N-channel)
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (118)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SM4842PRL` SPS ↓ Twoj uklad	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7.7A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1.75nC	1.322V	180°C	PDF →
`HXY4822S` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`HXY4842S` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`DMG4822SSD-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`DMT3020LSD-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`IRL6372PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`ZXMN3A04DN8-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	10A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`AP4008SD` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.322V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	10A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`HXY4882S` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	8A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.6V	—	PDF →
`ASDM3020S-R` ASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11.8A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	3V	—	PDF →
`SH8KA2TB1` ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	2.5V	—	Szukaj PDF →
`SQ4920EY-T1_BE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (19.73nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	19.73nC	1.52V	175°C	PDF →
`SQJ844AEP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8A	16.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	2.5V	175°C	PDF →
`HAT2043R-EL-E` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (32nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32nC	2.5V	—	PDF →
`SQ4282EY-T1_BE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (31.547nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	31.547nC	1.52V	175°C	PDF →
`SM4828APRL` SPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	15A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.15nC	5V	184°C	PDF →
`SQ4940AEY-T1_BE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (28.443nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	8A	24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	28.443nC	1.522V	175°C	PDF →
`SQ4940AEY-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (28.443nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	8A	24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	28.443nC	1.522V	175°C	PDF →
`BSO150N03MDG-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11.5A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.5V	—	PDF →
`FDS6910-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11.5A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.5V	—	PDF →
`IRF8313PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11.5A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.5V	—	PDF →
`SI4202DY-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11.5A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.5V	—	PDF →
`SQ4284EY-T1_BE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (45nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	8A	11.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	45nC	1.52V	175°C	PDF →
`STS8DN6LF6AG` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	8A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	1V	175°C	PDF →
`SQJ204EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	1212V	20A	8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	5V	175°C	PDF →
`VBZA9945` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	8A	27mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18nC	1.52V	175°C	PDF →
`SQJ960EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	8A	36mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	2.02V	175°C	PDF →
`HXY4884S` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22.9nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	12A	18.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22.9nC	1.5V	—	PDF →
`FDS89161LZ-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	8A	112mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1V	—	PDF →
`SH8KB7TB1` ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	13.5A	8.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	2.5V	—	Szukaj PDF →
`DMNH6042SSDQ-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.2nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	16.7A	34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.2nC	1V	175°C	PDF →
`SQJ940EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	15A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ942EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (19.7nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	15A	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	19.7nC	2.3V	175°C	PDF →
`SQJ946EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	15A	33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.52V	175°C	PDF →
`SQJB68EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	11A	92mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ914EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	30A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ910AEP-T2_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (39nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	30A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	39nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ208EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (33nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	20A	9.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33nC	2.3V	175°C	PDF →
`AP4920GM` APEC(Advanced Power Elec) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Vds 25V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	7A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1V	—	PDF →
`AUIRF7313QTR` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 6.9A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.9A	23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	1V	175°C	PDF →
`ES4812` ETERNAL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 6.9A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	72V	6.9A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.01V	—	PDF →
`SQJ200EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.322V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	111.52V	—	7.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	—	175°C	PDF →
`DMTH6016LSD-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 7.6A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8.4nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7.6A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.4nC	1V	175°C	PDF →
`SI4946BEY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 6.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 6.5A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (6.5nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	6.5A	33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.5nC	6.7V	175°C	PDF →
`4946BW-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`615N-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`AM4902N-T1-PF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`AP9971GM-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`BSO604NS2-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`BSO615NG-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`CEM4228-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`CEM4946-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`FDS8949-NL-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`FDS9945-NL-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`HAF2015RJ-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`HAT2028RJ-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`IRF7341QTRPBF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`IRF7341TRPBF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`MDS5951URH-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`ME4946-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`MMDF3N04HD-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`MMDF3N04HDR2G-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`NDS9945-NL-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`P2806HV-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`P5506HVG-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`SI4906DY-T1-E3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`SI4946BEY-T1-E3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`SI4946EY-T1-E3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`SI9945ADY-T1-E3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`SI9945BDY-T1-E3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`SI9945BDY-T1-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`SI9945DY-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`SI9955DY-T1-E3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`SP8K31-TB-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`SQ9945BEY-T1-GE3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`STN4828-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`STS4DNF60L-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`STS5DNF60L-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`TPC8206-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`VBA3638` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	4.5V	175°C	PDF →
`SQ4946AEY-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11.718nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11.718nC	1.52V	—	PDF →
`SQ4946CEY-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11.718nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11.718nC	1.52V	175°C	PDF →
`SI9945AEY-T1-E3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 7A < 7.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ202EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.322V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	1212V	—	5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	—	—	PDF →
`SQJB04ELP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13.12nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	30A	7.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13.12nC	1.21V	175°C	PDF →
`SQJ262EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	15A	35.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ912AEP-T2_BE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25.638nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	30A	7.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25.638nC	1.522V	175°C	PDF →
`SQJ912AEP-T2_GE3` SQJ912AEP-T2_GE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25.638nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	30A	7.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25.638nC	1.522V	175°C	PDF →
`SQJB48EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25.34nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	30A	5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25.34nC	2.32V	175°C	PDF →
`SQJB42EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	30A	9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.53V	175°C	PDF →
`SQJB02ELP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (32nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	30A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32nC	1.21V	175°C	PDF →
`SQJB46EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 3.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (32nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	30A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32nC	3.3V	175°C	PDF →
`SQJB44EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (33.55nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	30A	4.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33.55nC	1.21V	175°C	PDF →
`SQJ912DEP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (36nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	30A	7.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	1.52V	175°C	PDF →
`SQJB40EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (35nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	30A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJB46ELP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (40nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	30A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	40nC	2.2V	175°C	PDF →
`SQJB46ELP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (40nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	30A	6.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	40nC	1.21V	175°C	PDF →
`SQJ912BEP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	30A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	2V	175°C	PDF →
`IRF7351PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	15A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	2V	—	PDF →
`SQJB68EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.78nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	—	76.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.78nC	1.52V	—	PDF →
`SQJ958EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (23nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	20A	34.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ980AEP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (21nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	75V	17A	50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	21nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ740EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 3.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (56nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	40V	123A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	56nC	3.5V	175°C	PDF →
`SQJ968EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18.5nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	23.5A	33.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18.5nC	2.5V	175°C	PDF →
`DMNH6022SSD-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (32nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	22.6A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32nC	1V	175°C	PDF →
`SQJ952EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	23A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ952EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	23A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ956EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	23A	26.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJB60EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	30A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJB60EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	30A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJB60EP-T2_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	30A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJB00EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 3.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (35nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	30A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	3.5V	175°C	PDF →
`SQJB00EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 3.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (35nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	30A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	3.5V	175°C	PDF →
`SQJB90EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 3.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	30A	21.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	3.5V	175°C	PDF →
`SQJB80EP-T1_BE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (32nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	30A	19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32nC	1.52V	175°C	PDF →
`SQJB80EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (32nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	30A	19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJB70EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.322V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (47nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	—	78mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	47nC	2.53V	—	PDF →
`SQJ974EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	30A	25.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ990EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 1.75nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	34A	40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →