ASDM3020S-RASDsemi ↓ Twoj uklad | dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.8A | 1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 3V | — | PDF → |
YJSD12N03AYangzhou Yangjie Elec Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 23.6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
HSM3206HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
HXY4884SHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 12A | 18.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22.9nC | 1.5V | — | PDF → |
DMT3020LSD-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
DMT3020LSDQ-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SH8KB7TB1ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 13.5A | 8.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 2.5V | — | Szukaj PDF → |
SQJ940EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 15A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ942EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 15A | 22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 19.7nC | 2.3V | 175°C | PDF → |
SQJ946EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 15A | 33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SI7288DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 20A | 15.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 5.2V | 150°C | PDF → |
SQJ208EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 20A | 9.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33nC | 2.3V | 175°C | PDF → |
SQJ910AEP-T2_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 39nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ914EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
CSD88537NDTTexas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 15A | 12.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3.4nC | 3V | 150°C | PDF → |
CSD88539NDTTexas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 15A | 27mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1.8nC | 3V | 150°C | PDF → |
IRF7351PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 15A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 2V | — | PDF → |
SM4828APRLSPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 15A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2.15nC | 5V | 184°C | PDF → |
SQJ262EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 15A | 35.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
CSD88537NDTexas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 16A | 12.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3.4nC | 3V | 150°C | PDF → |
DMNH6042SSDQ-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 16.7A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.2nC | 1V | 175°C | PDF → |
WSP11N10TWinsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 12A | 70mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 8V | 150°C | PDF → |
SQJ912AEP-T2_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.522V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 30A | 7.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25.638nC | 1.522V | 175°C | PDF → |
SQJ912AEP-T2_GE3SQJ912AEP-T2_GE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.522V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 30A | 7.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25.638nC | 1.522V | 175°C | PDF → |
SQJ912BEP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 30A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 2V | 175°C | PDF → |
SQJ912DEP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 30A | 7.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SQJB02ELP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 30A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32nC | 1.21V | 175°C | PDF → |
SQJB04ELP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 30A | 7.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13.12nC | 1.21V | 175°C | PDF → |
SQJB40EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 30A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJB42EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 30A | 9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.53V | 175°C | PDF → |
SQJB44EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 30A | 4.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33.55nC | 1.21V | 175°C | PDF → |
SQJB46ELP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 30A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 2.2V | 175°C | PDF → |
SQJB46ELP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 30A | 6.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 1.21V | 175°C | PDF → |
SQJB46EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 30A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32nC | 3.3V | 175°C | PDF → |
SQJB48EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.32V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 30A | 5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25.34nC | 2.32V | 175°C | PDF → |
SQJ980AEP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 75V | 17A | 50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 21nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SIRB40DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 40A | 3.25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 5.1V | 150°C | PDF → |
SQJ958EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 20A | 34.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 23nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
DMNH6022SSD-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 22.6A | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32nC | 1V | 175°C | PDF → |
SQJ952EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 23A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ952EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 23A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ956EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 23A | 26.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ968EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 23.5A | 33.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18.5nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ740EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 123A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 56nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
SQJB00EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 30A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
SQJB00EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 30A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
SQJB60EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 30A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJB60EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 30A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJB60EP-T2_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 30A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJB80EP-T1_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 80V | 30A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SQJB80EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 80V | 30A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJB90EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 80V | 30A | 21.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
SQJ974EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 30A | 25.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
AO4882-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | — | 12A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12nC | 6V | 150°C | PDF → |
DTM4926-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | — | 12A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 6V | 150°C | PDF → |
BSO150N03MDG-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 11.5A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.5A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.5V | — | PDF → |
FDS6910-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 11.5A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.5A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.5V | — | PDF → |
IRF8313PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 11.5A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.5A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.5V | — | PDF → |
SI4202DY-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- UWAGA: Id 11.5A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.5A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.1nC | 5.3V | 150°C | PDF → |
SI4202DY-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 11.5A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.5A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.5V | — | PDF → |
AO4832-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | — | 13.5A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 6V | 150°C | PDF → |
HAT2092RJ-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | — | 13.5A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 6V | 150°C | PDF → |
TPC8223-H-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- UWAGA: Id 11A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | — | 11A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 6V | 150°C | PDF → |
DMG4822SSD-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 10A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 13.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 1V | 150°C | PDF → |
DMG4822SSD-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 10A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | — | PDF → |
DMT3020LSD-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 10A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | — | PDF → |
HSM3214HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 10A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
HXY4832SHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 10A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 17nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
IRL6372PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 10A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | — | PDF → |
ME4970MATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 10A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 13.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.5nC | 1V | 150°C | PDF → |
STS8DN3LLH5STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 10A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2nC | 1V | 150°C | PDF → |
VBZA4936VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- UWAGA: Id 10A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3.7nC | 5V | 150°C | PDF → |
ZXMN3A04DN8-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 10A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | — | PDF → |
DMG4800LSD-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 0.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 9.8A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9.8A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.56nC | 0.8V | 150°C | PDF → |
WSP4888Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 9.8A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9.8A | 13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
AP4008SDALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- UWAGA: Id 10A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 10A | 17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
VBA3410VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- UWAGA: Id 10A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 10A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12nC | 6V | 150°C | PDF → |
WSP4984Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 10A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 10A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13.6nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
AO4884&40V-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- UWAGA: Id 10A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | — | 10A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12nC | 6V | 150°C | PDF → |
STN4828STANSON Tech. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 0.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 10A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 10A | 35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.3nC | 0.8V | 150°C | PDF → |
WSP6956Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.511V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 10A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 10A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.511V | 150°C | PDF → |
AOSD62666EAlpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 9.5A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 9.5A | 14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
SQJB68EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 11A < 11.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 11A | 92mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
AGM614MNAGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 68A | 14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
SQJ990EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 34A | 40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SI7252DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 36.7A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 5.7V | 150°C | PDF → |
SQJ204EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 1212V | 20A | 8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | 5V | 175°C | PDF → |
SQJB68EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | — | 76.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.78nC | 1.52V | — | PDF → |
SQJB70EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | — | 78mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 47nC | 2.53V | — | PDF → |
SQJ200EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 111.52V | — | 7.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | — | 175°C | PDF → |
SQJ202EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 1212V | — | 5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | — | — | PDF → |