MMDF3N04HDR2G-VBVBsemi Elec ↓ Twoj uklad | dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
4946BW-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
615N-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
AM4902N-T1-PF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
AP9971GM-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
BSO604NS2-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
BSO615NG-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
CEM4228-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
CEM4946-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
FDS8949-NL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
FDS9945-NL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
HAF2015RJ-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
HAT2028RJ-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
IRF7341QTRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
IRF7341TRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
MDS5951URH-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
ME4946-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
MMDF3N04HD-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
NDS9945-NL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
P2806HV-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
P5506HVG-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
SI4906DY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
SI4946BEY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
SI4946EY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
SI9945ADY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
SI9945BDY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
SI9945BDY-T1-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
SI9945DY-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
SI9955DY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
SP8K31-TB-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
SQ9945BEY-T1-GE3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
STN4828-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
STS4DNF60L-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
STS5DNF60L-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
TPC8206-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
VBA3638VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
DMTH6016LSD-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7.6A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.4nC | 1V | 175°C | PDF → |
HSM1564HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 8A | 13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 2V | 150°C | PDF → |
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 8A | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 1V | 175°C | PDF → |
SI7972DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 8A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.9V | 150°C | PDF → |
SQ4946AEY-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.718nC | 1.52V | — | PDF → |
SQ4946CEY-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.718nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
AOSD62666EAlpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 9.5A | 14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
STN4828STANSON Tech. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 0.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 10A | 35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.3nC | 0.8V | 150°C | PDF → |
WSP6956Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1.511V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 10A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.511V | 150°C | PDF → |
FDS89161LZ-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 8A | 112mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1V | — | PDF → |
SI9945AEY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Qg wyzsze (18nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
VBZA9945VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (18nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 8A | 27mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
CSD88537NDTTexas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 15A | 12.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3.4nC | 3V | 150°C | PDF → |
SM4828APRLSPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 15A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2.15nC | 5V | 184°C | PDF → |
SQJ262EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 15A | 35.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
CSD88537NDTexas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 16A | 12.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3.4nC | 3V | 150°C | PDF → |
DMNH6042SSDQ-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 16.7A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.2nC | 1V | 175°C | PDF → |
SQJ960EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.02V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (20nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 8A | 36mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 2.02V | 175°C | PDF → |
SI7946ADP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 7.7A | 186mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.5nC | 6V | 150°C | PDF → |
SQJB68EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 11A | 92mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
WSP11N10TWinsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 12A | 70mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 8V | 150°C | PDF → |
AGM614MNAGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 68A | 14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
IRF7351PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 15A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 2V | — | PDF → |
SQJ968EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (18.5nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 23.5A | 33.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18.5nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SI7980DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (27nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 120V | 8A | 26mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI7252ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (26.5nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 9.3A | 18.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26.5nC | 7.4V | 150°C | PDF → |
SQJ980AEP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (21nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 75V | 17A | 50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 21nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ958EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (23nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 20A | 34.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 23nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ952EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 23A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ952EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 23A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ956EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 23A | 26.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
DMNH6022SSD-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (32nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 22.6A | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32nC | 1V | 175°C | PDF → |
SQJB60EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 30A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJB60EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 30A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJB60EP-T2_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 30A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ204EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 1212V | 20A | 8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | 5V | 175°C | PDF → |
SQJB90EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (25nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 80V | 30A | 21.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
SQJB00EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 30A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
SQJB00EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 30A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
SQJB80EP-T1_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (32nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 80V | 30A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SQJB80EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (32nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 80V | 30A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SI4946BEY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- UWAGA: Id 6.5A < 7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.5nC | 6.7V | 175°C | PDF → |
SI9634DY-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- UWAGA: Id 6.2A < 7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.2A | 29mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.8V | 150°C | PDF → |
SI4946CDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- UWAGA: Id 6.1A < 7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.1A | 33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2.4nC | 4.8V | 150°C | PDF → |
HAT2114RJ-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- UWAGA: Id 6A < 7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
SI4946DY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- UWAGA: Id 6A < 7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
SSD2025TF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- UWAGA: Id 6A < 7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
VBZA4946VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 6A < 7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.7nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
WSP6946Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 6.5A < 7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 1V | 150°C | PDF → |
AO4884&40V-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | — | 10A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12nC | 6V | 150°C | PDF → |
ES4812ETERNAL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1.01V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 6.9A < 7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 72V | 6.9A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.01V | — | PDF → |
TPC8223-H-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | — | 11A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 6V | 150°C | PDF → |
KI9926BDYKEXIN Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 0.51V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 51.5V < 60V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (20nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 51.5V | 8.2A | 27mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 0.51V | 150°C | PDF → |
TPM60V7NBS8TECH PUBLIC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 6A < 7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6A | 35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
DMC3025LSD-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | — | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 4.1V | 150°C | PDF → |
SQJB68EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | — | 76.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.78nC | 1.52V | — | PDF → |
DTM4926-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | — | 12A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 6V | 150°C | PDF → |
SH8KC6TB1ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 6.5A < 7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 1V | 150°C | PDF → |
SQJ200EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 111.52V | — | 7.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | — | 175°C | PDF → |
AO4882-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | — | 12A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4832-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | — | 13.5A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 6V | 150°C | PDF → |
HAT2092RJ-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | — | 13.5A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 6V | 150°C | PDF → |
SE4946SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 6.5A < 7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (47.6nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 41mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 47.6nC | 2.1V | 150°C | PDF → |
HXY4828SHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 1.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 6.5A < 7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 36mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
ET8205AETERNAL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 0.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 6A < 7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 651V | 6A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
SI7942DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 5.9A < 7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 5.9A | 41mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 2V | 150°C | PDF → |
SQJB70EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (47nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | — | 78mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 47nC | 2.53V | — | PDF → |
SQJ202EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 1212V | — | 5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | — | — | PDF → |
SI7252DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (27nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 36.7A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 5.7V | 150°C | PDF → |
SQJ974EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 30A | 25.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ990EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 34A | 40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |