ES4407ElecSuper ↓ Twoj uklad | P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 12A | 9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | 100°C | PDF → |
AO4407-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 12A | 9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
BSO201SPHInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 12A | 10.312mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1.5nC | 0.9V | — | PDF → |
HXY4407SHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 12A | 9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
KY4407KY Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 12A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
MCQ4407-TPMCC(Micro Commercial Components) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 12A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
YJS2022AYangzhou Yangjie Elec Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 72.8nC | 0.62V | 150°C | PDF → |
AO4406-MSMSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 12A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
BSO130P03SH-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 12A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
FDS6675-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 12A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
FDS6675BZ-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 12A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
IRF7424PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 12A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
IRF7424TR-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 12A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
IRF9328PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 12A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
IRF9388TRPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 12A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
NTMS4177P-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 12A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI7540ADP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 12A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 48nC | 3.7V | 150°C | PDF → |
AO4437-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
CEM2163-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
DMP2022LSS-13-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 0.5V | 150°C | PDF → |
E10P02-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
FDS6575-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
HM4453-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 0.5V | 150°C | PDF → |
IRF7204TR-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
IRF7404TRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 0.5V | 150°C | PDF → |
PMK50XP-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
SDM9433-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
SI4463BDY-T1-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
SI9424DY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
SI9430DY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 0.5V | 150°C | PDF → |
SI9430DY-T1-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
SI9433BDY-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 3V | 150°C | PDF → |
SM4501PSK-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 0.5V | 150°C | PDF → |
VBA2216VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 0.5V | 150°C | PDF → |
XP132A1275SR-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
SI4403CDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13.4A | 15.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 90nC | 2.8V | 150°C | PDF → |
FDS4465onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13.5A | 8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | 0.6V | 175°C | PDF → |
SI4467DYonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13.5A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 0.6V | 175°C | PDF → |
SI4463CDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 13.6A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 162nC | 3.5V | 150°C | PDF → |
UPA2736GR-E1-AXRENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 14A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 80nC | — | — | PDF → |
EY4409ETERNAL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 14A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 39nC | 1.9V | 150°C | PDF → |
SI4408DY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 14A | 3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI4421DY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 14A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 125nC | 0.4V | 150°C | PDF → |
TSM160P02CS RLGTaiwan Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 14A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
IRF7425TRPBFInfineon (ex-International Rectifier) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 15A | 8.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 130nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
SI4466DYonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 15A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7nC | 0.9V | 150°C | PDF → |
AO4407CAlpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 24V | 14A | 11.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.8V | — | PDF → |
UPA2735GR-E1-AXRENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 16A | 3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 195nC | — | — | PDF → |
AO4290AAlpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 24V | 15.5A | 6.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.31V | — | PDF → |
IRF9328TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 11.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 52nC | 2.4V | 150°C | PDF → |
4407AHL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.6V | — | PDF → |
AO4407ElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 46nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
AO4407-MSMSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 1V | 150°C | PDF → |
AO4407AAlpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 39nC | 3V | 150°C | PDF → |
AO4407ALAlpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 39nC | 3V | 150°C | PDF → |
AO4566Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.7nC | 1.31V | — | PDF → |
AP4407ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 1V | 150°C | PDF → |
AP4407CALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
BLM4407BL(Shanghai Belling) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 11.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 55.3nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
BR4407Foshan Blue Rocket Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 37.2nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
BSO080P03NS3GInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 81nC | 3.1V | 150°C | PDF → |
DMG4413LSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 46nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
DMP3020LSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15.3nC | 1V | 150°C | PDF → |
FDS4435Tokmas Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1V | 150°C | PDF → |
NCE30P12SWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
PJL9415_R2_00001PANJIT International Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
SI4410BDY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4416DY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
SL12P03SSlkor(SLKORMICRO Elec.) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2nC | — | 150°C | PDF → |
SL4407ASlkor(SLKORMICRO Elec.) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40.1nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
ME4411-GMATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.5A | 8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 83.2nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI4420DYonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.5A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 53nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI4420DYPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.5A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 78nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI4420DYTRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.5A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 52nC | 1V | 150°C | PDF → |
BSO080P03SHXUMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.6A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 136nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
BSO301SPHXUMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.6A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 136nC | 2V | 150°C | PDF → |
SI4435FDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.6A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 21nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
SI4425FDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.7A | 9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 41nC | 5V | 150°C | PDF → |
AO4404-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4406-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4406A-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
AO4406A-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4408-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4420-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4468-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
AO4492-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4724-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
DMP3015LSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2V | 150°C | PDF → |
DMP3015LSSQ-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2V | 150°C | PDF → |
FDS6679onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 3V | 175°C | PDF → |
FDS6679AZonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 7.79mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.9V | 150°C | PDF → |
FDS6679Zonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 71nC | 1.6V | 175°C | PDF → |
RS3E130ATTB1ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 83nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SI4410DY-T1-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4410DYPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
SI4420BDY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4835DDY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 65nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
WPM3021-8/TRWILLSEMI(Will Semicon) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 38nC | 1V | 150°C | PDF → |
WSP4407Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 9.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 2V | 150°C | PDF → |
AP4439GMAPEC(Advanced Power Elec) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13.3A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.5nC | 1V | 150°C | PDF → |
MT8103-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13.5A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
VBA2309VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13.5A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13.5nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
VBZA30P15VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13.5A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13.5nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
VBZA4425VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13.5A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3.5nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
VBZA6679VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13.5A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13.5nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
AO4492Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
HSM3115HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
RRH140P03GZETBROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 150nC | 3.9V | 150°C | PDF → |
RRH140P03TB1ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 80nC | 3.9V | 150°C | PDF → |
SI4430BDY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
SI4430BDY-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
FDS6673AZonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14.5A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14.5nC | 1.6V | 175°C | PDF → |
FDS6673BZonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14.5A | 7.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 1.9V | 150°C | PDF → |
RU30L15HShenzhen ruichips Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14.5A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.8V | 150°C | PDF → |
BSO080P03NS3 GInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14.8A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 81nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SI4825DDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14.9A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14.9nC | 5.3V | 150°C | PDF → |
4409KUU Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
AO4409Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 1.9V | 150°C | PDF → |
AO4409-MSMSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
AO4410-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.5V | — | PDF → |
AO4410-MSMSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.617nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
AO4413Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
AO4728-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
AP20P30SALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 55nC | 1V | 150°C | PDF → |
DMG4413LSS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
DMP3015LSS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
FDS6673BZ-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
FDS6679AZ-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
G18P03SGOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 8.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 58nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
IRF9317TRSlkor(SLKORMICRO Elec.) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
IRF9321PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
IRF9388PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
NCE30P15SWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 48nC | 5V | 150°C | PDF → |
SI4427BDY-T1-E3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
SI4442DY-T1-E3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 0.61V | 150°C | PDF → |
SI4442DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 0.61V | 150°C | PDF → |
SM4407APRLSPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | Szukaj PDF → |
SQ4435EY-T1_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 38.358nC | 2V | 175°C | PDF → |
TPC8126-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
WSP4409AWinsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1V | 150°C | PDF → |
KPE4403AKIA Semicon Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 19A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.5nC | 4V | 150°C | PDF → |
AOSP21357Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.75V | 150°C | PDF → |
BRCS070P03SCFoshan Blue Rocket Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
FDS7779Zonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 70nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
G16P03SGOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
IRF9317TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 6.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 92nC | 2.4V | 150°C | PDF → |
DMP3004SSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16.2A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 73nC | 1V | 150°C | PDF → |
AO4402AOS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 20A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 0.51V | 150°C | PDF → |
AO4402-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 20A | 5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 0.51V | 150°C | PDF → |
IRF7420TRPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 20A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1V | 150°C | PDF → |
AO4423LAlpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17A | 6.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 57nC | 2.1V | — | PDF → |
AO4447AAlpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 130nC | 1.2V | 150°C | Szukaj PDF → |
AO4447ALAlpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | Szukaj PDF → |
SM4447APRLSPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 54nC | 2.6V | 150°C | PDF → |
IRF7404PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 23V | 20A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 0.4V | 150°C | PDF → |
WSP4409Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17.6A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
AO4402GAlpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 24V | 20A | 5.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 0.45V | 150°C | PDF → |
AO4354-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4430-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
AO4430-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4726-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
APM4301KC-TRL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 84nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
DMG4407SSS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
FDS6681Z-NL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 84nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
HAT1048RJ-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 84nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SI4420DYPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
SI4430BDY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4466DY-T1-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
SM4301PSKC-TRG-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 84nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SI4477DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 26.6A | 5.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26.6nC | 4.1V | 150°C | PDF → |
SQJ457EP-T1_BE3SQJ457EP-T1_BE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 36A | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 2V | 175°C | PDF → |
KPE4703AKIA Semicon Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 38A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 4.5V | — | PDF → |
SI7635DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 40A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
SI7137DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 42A | 1.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 188nC | 4.1V | 150°C | PDF → |
SIR401DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 50A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 310nC | 3.3V | 150°C | PDF → |
SI7141DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 60A | 1.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 400nC | 5.7V | 150°C | PDF → |
SI7157DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 60A | 1.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 625nC | 4.1V | 150°C | PDF → |
SI7633DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 60A | 3.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 85nC | 6.4V | 150°C | PDF → |
XPH3R114MC,L1XHQTOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 100A | 4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 29nC | 2.1V | — | PDF → |
AO4622Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Id
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | — | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
NDS8434ANDS8434A Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | — | 24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3.8nC | 0.51V | 150°C | PDF → |
SI4413CDY-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | — | 15.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.8V | 150°C | PDF → |
SI4463DYonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.5A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 11.5A | 17.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.4nC | 0.8V | 150°C | PDF → |
UPA2737GR-E1-AXRENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 11A | 9.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | — | — | PDF → |
FDS6576onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 11A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7nC | 0.83V | 150°C | PDF → |
AO4266EAlpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 24V | 11A | 13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.21V | — | PDF → |
AOSP21321Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 24V | 11A | 17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 34nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
UPA2738GR-E1-AXRENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 10A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 37nC | — | — | PDF → |
FDS6575onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 10A | 17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 53nC | 0.6V | 175°C | PDF → |
NTMS10P02R2G-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 10A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
RS4435REASUNOS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 10A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
SI4421DY-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 10A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 125nC | 0.4V | 150°C | PDF → |
SI4423DY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 10A | 6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 175nC | 0.4V | 150°C | PDF → |
SI4463BDY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 9.8A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 9.8A | 8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 56nC | 0.6V | 150°C | PDF → |
SI4463BDY-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 9.8A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 9.8A | 8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 56nC | 0.6V | 150°C | PDF → |
AO4425-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
AP4407GM-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
DMP3020LSS-13-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
FDS6675A-NL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
FDS6675B-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
HAT1047R-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
HAT1047RJ-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
IRF9328TRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
P1203EVG-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
RSS090P03-TB-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SI4425DY-T1-E3&-11-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SM4305PSKC-TRG-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
STS10PF30L-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
TPC8103-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
TPC8108-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
TPC8125-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
VBA2311VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
VBZA4407VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.6A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
AO4832-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- UWAGA: Id 11.5A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.5A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.5V | — | PDF → |
HSM4407HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.5A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.5A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI4425BDY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.4A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.4A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI4435DDY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11.4A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.4A | 24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
AO4476A-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4838Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 9.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.522V | 150°C | PDF → |
AOSP21321-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 1000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 2V | 150°C | PDF → |
AS4435SAnBon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 1V | 150°C | PDF → |
DMP3020LSS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
DMP3036SSD-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.6V | — | PDF → |
DMP3036SSS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
FDS4935BZ-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.6V | — | PDF → |
FDS6675Aonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 1.6V | 175°C | PDF → |
FDS6675BZonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.2nC | 2V | 150°C | PDF → |
FDS6681Z-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
FDS6975-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.6V | — | PDF → |
IRF7328PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.6V | — | PDF → |
IRF7416PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
IRF7424TRPBFInfineon (ex-International Rectifier) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 110nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
IRF9333PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
IRF9358PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.6V | — | PDF → |
IRF9393PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
SE30P12SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SI4425DYonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
SI4435DYPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI4435DYTRPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 1000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 2V | 150°C | PDF → |
SI4835DDY-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 2V | 150°C | PDF → |
SI4925DDY-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.6V | — | PDF → |
SM4435PRL-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
SM4447APRL-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
STP4407-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
STS7PF30L-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
TPC8124-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
TPC8126,LQ(CMTOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 0.8V | — | PDF → |
VBA2305VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 11A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SQ4431EY-T1_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10.8A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10.8A | 45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25nC | 2V | 175°C | PDF → |
SQ4431EY-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10.8A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10.8A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.2nC | 2V | 175°C | PDF → |
AO4435Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10.5A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10.5A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 29nC | 2.3V | 150°C | PDF → |
AO4468Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10.5A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10.5A | 17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
AP4435ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10.5A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10.5A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
SI4413ADY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10.5A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10.5A | 6.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 95nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI4413ADY-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10.5A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10.5A | 6.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 95nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI4435DY-ESElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 10.5A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10.5A | 13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
SM4307PSKC-TRG-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10.5A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10.5A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
4435GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
4435BHL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 2.5V | — | PDF → |
AO4407A-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
AO4466Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.6nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
AO4496Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 19.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 1.41V | 150°C | PDF → |
AO4832Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.51V | 150°C | PDF → |
AO4832-MSMSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
AP4435CALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
DOS4435DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
IRF7416TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 92nC | 1V | 150°C | PDF → |
JSM4435JSMSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 16.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
RRS100P03HZGTBROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 12.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 39nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SI4410DYonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 21.534nC | 1V | 150°C | PDF → |
VBZA4409VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 10A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
DMG4407SSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 9.9A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9.9A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.5nC | 1.7V | 155°C | PDF → |
IRF9332TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 9.8A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9.8A | 17.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 1.9V | 150°C | PDF → |
AO4419Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 9.7A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9.7A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 19nC | 2V | 150°C | PDF → |
SI4427BDY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 9.7A < 12A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9.7A | 8.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 70nC | 0.6V | 150°C | PDF → |